據上杭融媒報道，日前，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目已經進入全面的封頂，主體已經全部封頂，現在進入內裝階段，力爭在年底之前具備設備模擬的條件。
據了解，二期項目為基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目，于2023年12月開建，總投資16.8億元，建設136畝工業廠區，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線，首批產線實現每年400kk產能，企業產值10億元左右。建成后不僅填補了國內在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白，同時也對上杭縣新材料產業發展具有重要推動作用。
公開資料顯示，晶旭半導體致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發生產和服務，具備氧化鎵半導體外延裝備、工藝及芯片自主開發的能力。公司擁有多項化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上，產品主要應用于5G移動設備、網絡基礎設施、WIFI和GF市場等領域。
