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中國28個碳化硅項目的分布在哪里?

日期:2020-08-11 來源:鳳鳴于鏘閱讀:495
核心提示:初步囊括28個碳化硅項目。其分布情況如下:福建6個、北京5個、湖南4個、江蘇4個、廣東2個、河北2個、山西1個、江西1個、山東1個、上海1個、浙江1個。
初步囊括28個碳化硅項目。
 
其分布情況如下:福建6個、北京5個、湖南4個、江蘇4個、廣東2個、河北2個、山西1個、江西1個、山東1個、上海1個、浙江1個。
北京:北京聚集了中科院半導體所、微電子所、物理所等有關院所,北京大學、清華大學等相關高校的大校大所優勢,在核心技術上掌握主動。聚集了天科合達公司、泰科天潤公司、世紀金光公司等相關生產制造企業,在產業規模化方面占據優勢。《北京市5G產業發展行動方案(2019年-2022年)》指出,在產業鏈核心器件上重點支持6英寸碳化硅、氮化鎵芯片工藝平臺項目,初期預計達到月加工1000片6英寸5G中高頻芯片生產目標。
 
福建:福建碳化硅項目主要集中以廈門為代表,廈門集聚了瀚天天成、三安光電、芯光潤澤等龍頭企業,布局了全碳化硅智能功率模塊IPM產線、碳化硅半導體外延晶片產線等重點項目,三安光電、乾照光電、士蘭明稼等LED龍頭企業也加速往第三代半導體轉型升級,初步形成了涵蓋襯底、外延、器件到模塊的碳化硅產業鏈,打造中國“碳化硅谷”。
 
湖南:長沙在布局碳化硅上下了大力氣,引進了泰科天潤半導體碳化硅芯片及器件項目、三安光電長沙項目2個碳化硅項目,其中三安光電長沙項目投資總額達160億元,將研發、生產及銷售6寸SiC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。長沙提出了圍繞“一條主線、三個中心和五個鏈條”的總體思路,打造新一代半導體材料中心(瀏陽高新區)、新一代半導體科創中心(湖南湘江新區)、新一代半導體應用及智造中心(望城經開區)三個中心,布局材料芯片產業鏈、電子電力產業鏈、微波電子產業鏈、光電子產業鏈和配套衍生產業鏈五條鏈條,旨在打造以碳化硅為代表的第三代半導體千億集群。
 
江蘇:江蘇碳化硅項目布局較為均衡,在南京、無錫、揚州、徐州等地均有布局。位于南京的中電科55所具有雄厚的技術實力,建立了國內領先水平高壓大電流SiC MOSFET器件研發平臺,自主生產了SiC外延材料,在SiC二極管、SiC JFET、SiC MOSFET等器件研制上國內領先。
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