5月24日上午，江蘇中科漢韻半導體有限公司SiC功率器件項目通線儀式在開發區鳳凰灣電子信息產業園舉行。項目的正式通線，標志著我國企業突破了碳化硅芯片設計和工藝制造國產化中的一系列重大“卡脖子”技術，將為徐州市和開發區集成電路產業特別是第三代半導體產業發展注入新的強勁動能。
市委副書記、市長莊兆林，國家02專項總師、歐亞科學院院士葉甜春，中科院微電子所黨委書記、副所長（主持工作）戴博偉，市人大常委會副主任、市總工會主席束志明，市政府秘書長周天文，開發區黨工委書記李淑俠，開發區黨工委副書記、管委會主任臧曉鵬，江蘇中科漢韻半導體有限公司董事長袁述等出席活動。
中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產業轉化的成功典范。項目一期建筑面積2.1萬平方米，建設年產5000片碳化硅功率器件生產線。中科漢韻是中國科學院微電子研究所和徐州共同投資的半導體芯片設計與制造(IDM)企業，專注于第三代半導體碳化硅MOSFET芯片。中國科學院微電子所經過多年研究與中科漢韻行業專家開發，取得了碳化硅MOSFET芯片結構設計核心技術和工藝制造核心技術。
中科漢韻團隊包括中國科學院微電子研究所的行業專家和多位國內外半導體領域博士，他們擁有多年大型芯片制造企業工作經驗，為批量產品穩定性和重復性提供了技術支持。中科漢韻將致力于高質量碳化硅功率器件國產化，為客戶提供高性能的SiC功率器件, 打造成為國內一線、世界前沿的SiC器件企業。
