期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，中國科學技術大學Alsaman A. amgad做了題為”HEMT器件通道內2DEG電荷的空間非均勻性“的主題報告。

 

報告指出，早期開發的傳統建模方法用于對Si、GaAs上的場效應晶體管進行建模，無法準確捕捉 GaN/AlGaN HEMT 器件物理特性。它們主要依賴于在相對較高的工作電壓下無法處理的漸進通道近似。使用蒙特卡羅電子傳輸方法的數值模擬表明，隨著施加電壓的增加，電子濃度和其他物理量（電場、漂移速度和溫度）沿著晶體管溝道變得強烈非均勻分布。這樣的結果使漸進通道近似受到質疑，并增加了對更可靠的基于物理的模型的需求，這些模型解釋了非均勻/非線性分布的物理量（電場、電位、漂移速度和電子濃度）。在研究工作中，使用電流連續性和三角量子阱近似推導出了沿 HEMT 通道的電子濃度分布的分析模型。電子濃度分布可用于準確估計不同偏置條件下的器件電容。

 

 

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