近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，西安電子科技大學特聘教授劉志宏做了題為“面向移動SoC應用的氮化鎵射頻器件研究進展”的主題報告。

 

GaN射頻器件已經證明在雷達、衛星、通信基站等領域具有非常大的優勢，并且得到應用。GaN射頻器件主要優勢體現在PA上，GaN PA具有高功率、高效率、小體積、抗輻射、耐高溫、低系統成本等優點。GaN射頻移動終端SoC應用具有強自發極化和壓電極化、更高的電子飽和速度、更大的導熱系數、更低的花費、更容易與Si CMOS集成等優勢。如果使GaN射頻器件具有對GaAs足夠優勢，需要解決提高性能、降低成本等挑戰。報告從InAlN勢壘結構Si基GaN HEMT、AlN勢壘結構Si基GaN HEMT、Si基GaN其他射頻器件及GaN-CMOS異質集成等方面分享了研究進展與成果。

 

劉志宏，西安電子科技大學教授、博導。2007年加入新加坡南洋理工大學淡馬錫實驗室，任職Research Associate，負責氮化鎵微波器件和MMIC制造技術的研發；2011年加入新加坡-麻省理工學院聯合科技中心（SMART），任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，負責硅基氮化鎵微波/毫米波/太赫茲器件、氮化鎵與硅CMOS異質集成技術、氮化鎵電力電子器件等的研發。2019年全職回國加入西安電子科技大學。目前研究方向為GaN等寬禁帶半導體器件物理、制造技術、表征建模與集成電路。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）