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應(yīng)用材料推出CVD升級(jí)技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

日期:2022-04-22 來(lái)源:集微網(wǎng)閱讀:300
核心提示:應(yīng)用材料推出了Stensar化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),作為進(jìn)一步使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行二維縮放的一種方法,并支持柵極全方位晶體管的形成。Stensar是先進(jìn)的EUV圖案薄膜,替代自旋圖案薄膜。
應(yīng)用材料推出了Stensar化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),作為進(jìn)一步使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行二維縮放的一種方法,并支持柵極全方位晶體管的形成。Stensar是先進(jìn)的EUV圖案薄膜,替代自旋圖案薄膜。
 



據(jù)報(bào)道,由于EUV抗蝕劑的性質(zhì),芯片圖案需要通過一系列中間層(稱為轉(zhuǎn)移層和硬掩膜)蝕刻,然后才能最終蝕刻到晶圓上。到目前為止,這些層都是利用自旋技術(shù)沉積的。
 
與自旋圖案薄膜相比,應(yīng)用材料的Stensar CVD薄膜可幫助客戶調(diào)整EUV硬掩膜層的特定厚度和蝕刻彈性,從而優(yōu)化整個(gè)晶圓上的EUV圖案?jìng)鬏斁鶆蛐浴?/div>
 
應(yīng)用材料還宣布其Sym3蝕刻設(shè)備能夠在同一腔室中蝕刻和沉積材料的能力,這將有助于在將材料蝕刻到晶圓中之前改善EUV圖案。改進(jìn)的EUV圖案增加了產(chǎn)率,提高了芯片的功率和性能。
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