2月1日，高新發(fā)展在投資者互動平臺表示，截至目前，芯未半導(dǎo)體建設(shè)各項工作進(jìn)展順利，廠房建設(shè)現(xiàn)已封頂，爭取早日實現(xiàn)投產(chǎn)。此前公告指出，2022年6月，高新發(fā)展及全資子公司成都倍特建設(shè)開發(fā)有限公司將以現(xiàn)金2.82億元購買成都森未科技有限公司（以下簡稱“森未科技”）股權(quán)及其上層股東權(quán)益。

交易完成后，高新發(fā)展以直接和間接方式控制森未科技69.401%的股權(quán)，取得森未科技控制權(quán)。同時，擬以現(xiàn)金195.9706萬元購買高投集團持有的芯未半導(dǎo)體98%股權(quán)，芯未半導(dǎo)體是2022年初森未科技與高投集團成立的合資企業(yè)。

據(jù)成都日報報道，2022年8月，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件和組件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目開工。該項目總投資約10億元，運營方為成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率半導(dǎo)體芯片及產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)、銷售。項目建成投產(chǎn)后，將為功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組建產(chǎn)品等，實現(xiàn)年營收9億元。

該項目占地30畝，計劃分兩期建設(shè)。其中，一期將建設(shè)一條8英寸超薄IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）特色背面晶圓線，一條高端功率半導(dǎo)體集成封裝生產(chǎn)線。一期項目建成后，將形成年產(chǎn)120萬只功率半導(dǎo)體模塊制造能力，10萬套集成組件生產(chǎn)能力。

成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司執(zhí)行董事兼總經(jīng)理胡強表示，按照計劃，2023年6月將完成包括潔凈廠房在內(nèi)的所有裝修工作，具備設(shè)備搬遷的條件。此外，2023年第三季度封裝產(chǎn)線進(jìn)入聯(lián)調(diào)階段，第四季度投入試生產(chǎn)，到2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圓特色工藝平臺也將投入使用，并將于2025年擇機啟動二期擴產(chǎn)建設(shè)。

來源：全球半導(dǎo)體觀察