據悉，日前，博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工儀式在嘉興經開區城南街道工業園區舉行。項目瞄準第三代半導體新材料領域，將為卡脖子難題提供更多解決方案。

 

消息顯示，此次開工的博康（嘉興）半導體科技有限公司（簡稱“博康半導體”）氮化鎵射頻功率芯片先導線項目占地面積46667平方米，總投資額約6億元人民幣。其中一期用地約33200平方米。項目集產品研發、生產、銷售等功能為一體，將進一步加快開發區電子信息產業集聚，為經開區智造創新強區、經濟高質量發展提供有力支撐。

 

資料顯示，博康半導體成立于2022年，致力成為國內領先的化合物半導體制造服務商，覆蓋電信基礎設施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領域提供高能效的半導體產品及解決方案。博康半導體一期主營4英寸氮化鎵（GaN）射頻芯片、功放管，形成從GaN管芯到GaN氮化鎵功放管的系列化產品平臺，滿足客戶多元化的應用場景需求。二期將拓展到6英寸砷化鎵（GaAs）射頻芯片產品。