由中興通訊股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、中國電子科技集團第五十五研究所、中國科學院半導體研究所、廈門市三安集成電路電路有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、河北北芯半導體科技有限公司、西安電子科技大學等10余家單位聯合制定的T/CASAS 028—202X《Sub-6 GHz GaN射頻產品可靠性篩選和驗收方法》等5項射頻系列標準已完成征求意見稿的編制。根據第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化工作管理辦法，2023年3月14日起開始征求意見，截止日期2023年4月13日。

T/CASAS 027—202X《射頻GaN HEMT外延片二維電子氣遷移率非接觸霍爾測量方法》規定了射頻GaN HEMT外延片的二維電子氣遷移率非接觸Hall測量方法的測試原理、干擾因素、測試程序和試驗報告。

T/CASAS 028—202X《Sub-6GHz GaN 射頻產品可靠性篩選和驗收方法》規定了Sub-6GHz GaN射頻產品的可靠性篩選和驗收方法和詳細要求，對提升產品質量、系統可靠性及穩定性具有重要意義。

T/CASAS 029—202X《Sub-6GHz GaN 射頻器件微波特性測試方法》規定了Sub-6 GHz GaN 射頻器件微波特性的詳細測試方法。本文件適用于共源組成方式的GaN 射頻器件，其它組成方式僅供參考。

T/CASAS 030—202X《GaN毫米波前端芯片測試方法》規定了GaN毫米波前端芯片的術語、定義、測試條件、測試要求和測試方法。

T/CASAS 031—202X《面向5G基站應用的Sub-6GHz氮化鎵功放模塊測試方法》規定了氮化鎵功放模塊的術語、定義、測試條件、測試要求和測試方法。