據人民網3月26日報道，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司（以下簡稱“科友半導體”）開發的高性能碳化硅長晶裝備和高質量襯底產品實現規模化生產。自主研發的第三代半導體碳化硅產品不僅具有晶體生長周期短、良率高等優勢，而且將襯底成本降低一半以上。

2018年，哈爾濱工業大學教授趙麗麗帶領技術團隊成立科友半導體，開展碳化硅高端裝備設計及晶體材料研究。

據悉，在黑龍江省重大科技成果轉化項目“碳化硅襯底產業化關鍵技術研究”等的支持下，科友半導體解決大尺寸碳化硅單晶制備易開裂、缺陷密度高、生長速率慢等技術難題，突破碳化硅襯底產業化系列關鍵技術，完成了6英寸設備研制、生產線搭建、單晶襯底材料制備等，并在此基礎上進一步實現了8英寸碳化硅單晶襯底制備。

據報道，科友半導體建設的省重點項目第三代半導體產學研聚集區一期工程已投入生產；第三代半導體產學研聚集區二期工程將于近期開工建設，建成后將實現年產導電型碳化硅襯底15萬片。

2020年7月3日，科友半導體產學研聚集區項目在哈爾濱新區江北一體發展區開工建設。科友半導體產學研聚集區由科友半導體和哈爾濱新區共同出資建設。哈爾濱新區發布當時消息顯示，該項目一期計劃投資10億元，主要建設中俄第三代半導體研究院、中外聯合技術創新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際孵化基地、科友半導體產品檢驗檢測中心、人工寶石展覽館等項目。項目全部達產后，最終形成年產高導晶片近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產能；PVT-SIC晶體生長成套設備年產銷200臺套。