新材料是半導體芯片發(fā)展的基礎(chǔ)，半導體材料是芯片高速發(fā)展的重要驅(qū)動力，同時可帶動多學科發(fā)展，化合物半導體材料是芯片發(fā)展的重要推動力。
4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會在武漢開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺聯(lián)盟共同主辦。
開幕大會上，中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍分享了化合物半導體器件進展與挑戰(zhàn)。集成電路工藝和半導體器件不斷發(fā)展，后摩爾時代開始關(guān)注化合物半導體材料，寬禁帶半導體材料和器件具有寬禁帶半導體芯片具有優(yōu)越的功率特性。報告分享了硅基新型高遷移率材料與晶體管的重要進展、氮化物半導體器件、氧化鎵超寬禁帶半導體器件等技術(shù)的重要進展。涉及70nm柵長氮化鎵超高頻器件、GaN毫米波器件、低開啟電壓毫米波GaN SBD、硅基(低成本)氮化鎵材料與器件、高耐壓一萬伏的氮化鎵電力電子器件、 氧化鎵肖特基器件研究進展、氧化鎵MOS器件等的研究進展。
報告指出，Ga2O3可用于高壓、低損耗、大功率電子器件電子，電力損耗理論上大約為硅材料的1/3400、碳化硅的1/10。微系統(tǒng)所和西電采用smart cut轉(zhuǎn)移了wafer級氧化鎵薄膜于高熱導率襯底，部分解決了氧化鎵襯底低熱導率的問題。目前實現(xiàn)了4英寸氧化鎵材料的轉(zhuǎn)移。
由于SiC和Si襯底的高熱導率，異質(zhì)集成Ga2O3MOSFET器件展現(xiàn)了遠比體器件更優(yōu)異的溫度相關(guān)特性。未來要發(fā)展異質(zhì)異構(gòu)集成電路，包括開放、可互操作的芯粒（chiplet）生態(tài)系統(tǒng) ，推動整個電子信息產(chǎn)業(yè)的不斷的發(fā)展。
