日前，在2023中關(guān)村論壇“北京(國際)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場。

構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)

相里斌表示，“十三五”時期已經(jīng)基本解決我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品和相關(guān)裝備的“有無”問題，“十四五”時期將重點解決“能用、好用”以及可持續(xù)創(chuàng)新能力的問題。“我們將聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術(shù)瓶頸。”

隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向物理極限，專家認為，未來10年以第三代半導(dǎo)體為代表的新材料發(fā)展將重塑市場格局，并帶來新的機遇。

太空技術(shù)、生物技術(shù)以及生成式AI等顛覆性技術(shù)持續(xù)突破，其底層核心都是半導(dǎo)體技術(shù)。業(yè)內(nèi)人士認為，第三代半導(dǎo)體已成為新能源汽車、智能電網(wǎng)、先進制造、移動通信、新型顯示等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的新引擎，支撐“雙碳”目標(biāo)實現(xiàn)和數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化融合發(fā)展。

中信證券研報顯示，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，在高壓、高頻、高溫、高功率等領(lǐng)域具有更強的適用性。其中，碳化硅商用更加成熟，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢凸顯。

新一代信息技術(shù)與工業(yè)化深度融合加快，為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造了巨大的空間。以北京市順義區(qū)為例，全區(qū)已初步形成從裝備到材料、芯片、模組，封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，聚集了國聯(lián)萬眾、泰科天潤、瑞能半導(dǎo)體、特思迪等20余家重點企業(yè)。

北京市委常委、副市長靳偉表示，北京市面向國家發(fā)展戰(zhàn)略需求，加強第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)、應(yīng)用場景拓展，推動在京形成第三代半導(dǎo)體技術(shù)高地與高水平產(chǎn)業(yè)集群。

推動示范應(yīng)用

科學(xué)技術(shù)部原副部長、國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟主席曹健林表示，在新能源汽車、光伏、儲能等領(lǐng)域的需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長超預(yù)期，整個產(chǎn)業(yè)進入高速成長期。

對于第三代半導(dǎo)體未來如何發(fā)展，與會專家建議，一方面需要推動示范應(yīng)用，打通產(chǎn)業(yè)鏈條，提高產(chǎn)業(yè)競爭力；另一方面需要集聚技術(shù)、人才等創(chuàng)新要素，堅持開放創(chuàng)新，積極推動國際科技交流與合作。

在此次論壇上，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領(lǐng)域液相法碳化硅襯底生產(chǎn)、特思迪減薄-拋光-CMP設(shè)備生產(chǎn)二期、銘鎵半導(dǎo)體氧化鎵襯底及外延片生產(chǎn)項目等6個產(chǎn)業(yè)項目成功簽約，預(yù)計總投資近18億元。

專家認為，目前我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展仍面臨產(chǎn)業(yè)分布散、材料裝備驗證能力弱、工程技術(shù)人員缺乏等問題。推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展需聚焦重點市場，加強產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，以創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破。

中國證券報  作者：劉宇仁