近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ynpmqx.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。
期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院博士研究生王逸飛帶來(lái)“基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究”的主題報(bào)告，超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、穩(wěn)定性好和具有天然的日盲帶隙等特點(diǎn)近年來(lái)受到廣泛關(guān)注，然而在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨一些問(wèn)題，例如有效的p型氧化鎵半導(dǎo)體獲得以及基于氧化鎵的日盲紫外光電探測(cè)器對(duì)紫外光的響應(yīng)不足。
報(bào)告分享了氧化鎵材料性能調(diào)控和氧化鎵日盲探測(cè)器方面的研究進(jìn)展。報(bào)告指出，缺電子元素與N元素共摻雜方法將受主能級(jí)位置有效降低，實(shí)現(xiàn)了p型氧化鎵；過(guò)渡金屬摻雜調(diào)控氧化鎵，揭示過(guò)渡金屬元素?fù)诫s氧化鎵形成能和引入缺陷能級(jí)規(guī)律的同時(shí)，還首次發(fā)現(xiàn)IB和IIB族金屬將會(huì)引入AX中心，是阻礙p型氧化鎵的獲得的新原因；低維氧化鎵材料的性質(zhì)，包括電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、力學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)等，并對(duì)其進(jìn)行單軸應(yīng)變、外加電場(chǎng)以及雜質(zhì)原子鈍化等方法調(diào)控，為未來(lái)高性能低維氧化鎵基器件的制備提供理論指導(dǎo)；首次提出采用有機(jī)聚合物調(diào)控氧化鎵光電探測(cè)器，其響應(yīng)度增加36 %，提升了對(duì)日盲紫外光的響應(yīng)特性；探究不同In組分摻雜的影響，實(shí)現(xiàn)高遷移率（μsat= 3.63 cm2/V·s）、低亞閾值擺幅（SS= 1.38 V/decade）的氧化鎵薄膜晶體管，進(jìn)一步獲得對(duì)日盲紫外光高響應(yīng)特性的光電探測(cè)器；構(gòu)建In2O3/IGO異質(zhì)結(jié)晶體管，獲得更高載流子遷移率（μsat= 10.22 cm2/V·s）的異質(zhì)結(jié)晶體管，為未來(lái)光電探測(cè)應(yīng)用提供器件基礎(chǔ)；氧化鎵與不同二維材料體系的界面特性，豐富氧化鎵界面理論的同時(shí)為制備高性能氧化鎵/二維材料基光電探測(cè)器提供理論指導(dǎo)。
CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介
“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)。活動(dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>
