2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。

持續(xù)攻克碳化硅工藝難點

實驗室工藝中心團隊在充分調(diào)研及大量驗證測試的基礎(chǔ)上，充分梳理關(guān)鍵工藝及工藝風險點，周密制定開發(fā)計劃，在4個月內(nèi)連續(xù)攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關(guān)鍵工藝問題。開發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝，實現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕，打通了高厚度一致性及均一性、低界面態(tài)密度溝槽柵氧介質(zhì)結(jié)構(gòu)及工藝，制定并實施了低阻n型和p型歐姆接觸的合金化技術(shù)方案，系統(tǒng)性地解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項工藝難題。

實現(xiàn)自主IP的碳化硅（SiC）溝槽技術(shù)

碳化硅（SiC）溝槽結(jié)構(gòu)因其獨特的優(yōu)勢被認為是碳化硅MOSFET器件未來的主流設(shè)計，國際領(lǐng)先企業(yè)已建立先進的溝槽結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)先，國內(nèi)處于追趕階段。九峰山實驗室面向前沿技術(shù)進行突破，重點聚焦先進溝槽工藝的研究，完成自主IP布局，并集中資源開發(fā)了碳化硅溝槽器件制備中的溝槽刻蝕、高溫柵氧、離子注入等關(guān)鍵核心單點工藝，形成了自主IP的成套工藝技術(shù)能力。

未來，九峰山實驗室將繼續(xù)以基礎(chǔ)性、前瞻性、特色性的原創(chuàng)成果和優(yōu)質(zhì)資源支持產(chǎn)業(yè)界解決關(guān)鍵工藝難題，為合作伙伴提供中立、開放的創(chuàng)新工藝研發(fā)平臺，加速技術(shù)創(chuàng)新。

（來源：JFS Laboratory）