清溢光電接受機構調研時表示，半導體芯片掩膜版技術方面，公司已實現180nm工藝節點半導體芯片掩膜版的客戶測試認證及量產，同步開展130nm-65nm半導體芯片掩膜版的工藝研發和28nm半導體芯片所需的掩膜版工藝開發規劃。半導體掩膜版業務方面，公司目前已擁有業內先進的激光光刻機，CD精度可達到130nm掩膜版的要求。佛山生產基地項目擬引入的光刻設備將不限于激光光刻機，也將適時考慮引入電子束光刻機。

（來源：集微網）