由于其寬帶隙和優異的材料特性, SiC基功率電子器件現在正成為許多殺手級應用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。然而，在整個SiC功率器件中，材料成本（即襯底和外延層）通常占比50%~75%。這將大大推遲SiC電力電子產品的真正市場爆炸。

2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇為期4天，由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

期間，“碳化功率器件及其封裝技術分會”如期舉行，本屆分會由三安半導體、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、 賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、 河北普興電子科技股份有限公司、 江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司協辦支持。

會上，三安半導體技術總監葉念慈帶來了“產業鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能”的主題報告，報告指出，與硅基工業中傳統的水平分工供應鏈相比，垂直整合正成為降低SiC功率電子產品整體成本和確保成品質量的一種有吸引力的方式。因此，許多SiC玩家相應地傾向于IDM（集成器件制造商）模式。

然而，在電力電子代工業務中，情況并非如此。特別是在SiC領域，占主導地位的鑄造企業主要專注于晶圓工藝。材料（即襯底和外延層）要么從外部購買，要么由客戶指定提供。SiC器件代工通常只是因為缺乏技術、不熟悉IDM模型或資本投資保守而提供晶片處理服務。這通常會導致高COO和質量責任歸屬問題對最終客戶的影響，特別是基于目前水平分工的商業模式。湖南三安半導體正致力于解決這一問題，通過在長沙聚集4H-SiC晶體生長、襯底、外延、芯片加工和組裝測試設施，為代工客戶賦能，建立中國第一個垂直集成供應鏈。報告中展示了SiC半導體功率器件代工服務垂直整合的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）