Micro-LED技術應用已從大屏顯示擴展到微顯示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優勢，已在AR/VR、車載等應用領用嶄露頭角，然而Micro LED微顯示技術仍處于發展的初級階段，面臨眾多技術挑戰。

近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技術產業應用論壇”上，三安光電氮化鎵事業部芯片研發部部長何安和帶來了“Micro-LED微顯示芯片技術發展及挑戰”的主題報告，報告聚焦μLEDoS微顯示芯片應用、μLEDoS微顯示芯片技術路線、μLEDoS微顯示芯片技術挑戰，以及介紹三安光電μLEDoS微顯示芯片開發狀況。

Micro-LED 微顯示技術：高光效率、高對比度、長壽命、超高像素密度、超緊湊集成尺寸；可廣泛應用于近眼顯示、車載顯示、微投影、可穿戴設備、光通訊等領域；例如“元宇宙”概念持續火熱，AR智能眼鏡成為虛擬與現實相連的平臺入口，車載智能車燈成就尊享駕駛體驗，微投使投影場景更加豐富。預估至2026 年μLED AR 智能眼鏡顯示器芯片產值為 4100 萬美元（約 2.75 億元人民幣）；后期快速增長主要來自于紅光芯片、激光轉移、晶圓鍵合及全彩化等技術逐漸成熟。

當前，Micro-LED技術趨向半導體集成工藝。報告中還分享了Micro-LED微顯示芯片外延性能提升、Micro-LED微顯示芯片側壁損傷，Micro-LED微顯示芯片金屬鍵合，Micro-LED微顯示芯片檢測研究進展。其中，針對Micro-LED微顯示芯片金屬鍵合，報告指出，金屬鍵合過程，Au-х(Au、Sn、Ni、In)鍵合界面容易出現空洞，通過研究發現空洞形成與鍵合條件和金屬比例有很大關系，鍵合表面沾污將影響金屬之間的相互擴散，致使界面出現非均勻性的合金態產生界面缺陷，影響結合強度。因此，需要通過金屬比例、鍵合前等離子處理、鍵合條件綜合調整，達到較佳鍵合界面。

Micro-LED微顯示芯片檢測方面，單顆微顯示屏上Micro-LED數量達到幾十~幾百萬級，如何有效快速精準檢測是微顯示芯片量產化的重要挑戰，Demura檢測仍處初級階段：(1)推掃式高光譜儀分辨率不高，精準度不夠且速度慢；(2)高分辨率工業相機進行多次拍照比對，對相機幀率要求高(＞15幀)，數據處理量大，效率低。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）