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IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

日期:2023-12-20 閱讀:376
核心提示:當(dāng)前,SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件,有效的降低了提升了開關(guān)速度,降低了能量損耗,使得整車的重量得到減

當(dāng)前,SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件,有效的降低了提升了開關(guān)速度,降低了能量損耗,使得整車的重量得到減少,續(xù)航里程得到提升。車用發(fā)展迅速,市場廣闊,在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下,全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期,市場快速增長。

代替薛宏偉(產(chǎn)品總監(jiān)張永強(qiáng)  )

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈門召開。期間,“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會上,河北普興電子科技股份有限公司產(chǎn)品總監(jiān)張永強(qiáng)分享了200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長的最新研究進(jìn)展。

普興電子從16年開始SiC的研發(fā),19年實(shí)現(xiàn)了6寸SiC外延片的量產(chǎn),21年中標(biāo)國家工信部碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化的項(xiàng)目。目前主要為1200V MOS產(chǎn)品,已通過車規(guī)級驗(yàn)證,應(yīng)用在新能源車主驅(qū)模塊上。

8寸外延是碳化硅外延技術(shù)的發(fā)展趨勢。報(bào)告顯示,普興電子近期研發(fā)出的8英寸碳化硅外延片的新產(chǎn)品,解決了8寸襯底應(yīng)力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點(diǎn)。厚度均勻性為0.6%,濃度均勻性為2.3%。8寸產(chǎn)品的均勻性已達(dá)到與6寸量產(chǎn)產(chǎn)品相當(dāng)?shù)乃健?/p>

普興公司是國內(nèi)最早外延材料研究工作的單位,目前具備的硅外延的年產(chǎn)能為700萬片,其中200 萬片為8寸硅外延片。6寸碳化硅外延的年產(chǎn)能為15萬片;預(yù)計(jì)到24年,6寸碳化硅外延片的年產(chǎn)能將擴(kuò)充到36萬片;25年8寸碳化硅外延片的年產(chǎn)能將擴(kuò)充到6到8萬片。

(備注:以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn),僅供參考!) 

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