2024年4月9-11日，一年一度化合物半導體行業盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會展中心舉辦。杭州富加鎵業科技有限公司作為參展商將攜新品亮相本屆盛會，誠邀業界同仁蒞臨1T45展臺參觀、交流合作。

本屆CSE博覽會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業領袖和創新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術與商貿交流”的形式，為產業鏈的升階發展搭建供需精準對接平臺，助力企業高效、強力拓展目標客戶資源，加速驅動中國化合物半導體產業鏈的完善和升級。 

CSE作為2024年首場國際化合物半導體產業博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區，六大領域，將集中展示各鏈條關鍵環節的新技術、新產品、新服務，將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產業的燈塔級盛會，集中展示化合物半導體上下游全產業鏈產品，搭建企業發布年度新產品新技術的首選平臺，支撐產業鏈及中部地區建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產業集群。

杭州富加鎵業科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光學精密機械研究所注冊成立的第一家“硬科技”企業，并于2023年獲得國家高新技術企業認定。主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發、生產和銷售工作，產品可應用于微波電子、電力電子等各領域內。目前公司共獲得35項國內授權專利，其中發明專利已授權10項，實用新型專利已授權25項；軟件著作已授權2項，商標已授權1項。

產品介紹

2寸/4寸氧化鎵晶圓      

利用導模法(EFG)生長的 UID 及錫摻雜 Ga₂O₃晶體(100),加工得到 2 英寸 /4 英寸氧化鎵晶圓。

氧化鎵外延片（MBE）      

基于分子束外延(MBE),在半絕緣的Fe 摻雜 Ga₂O₃ (010)襯底上生長 Sn 摻 Ga₂O₃同質外延薄膜。

氧化鎵外延片（MOCVD）

基于金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)，在導電型 Sn 摻雜 Ga203 襯底上生長Ga₂O₃同質外延膜。

值此之際，我們誠邀業界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現場參觀交流、洽談合作。

關于JFSC&CSE 2024