據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，清華大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備“，公開(kāi)號(hào)CN117766402A，申請(qǐng)日期為2023年12月。專利摘要顯示，一種半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備。該半導(dǎo)體裝置的制備方法包括：在襯底上制備晶體管，其中，晶體管的半導(dǎo)體層包括銦基氧化物；通過(guò)物理氣相沉積工藝在晶體管遠(yuǎn)離襯底一側(cè)形成覆蓋晶體管的鈍化保護(hù)層；在鈍化保護(hù)層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)形成鈍化層。該半導(dǎo)體裝置的制備方法可以提高半導(dǎo)體裝置的性能和穩(wěn)定性。