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品牌推薦│SPTS與您相約CSE化合物半導體產業(yè)博覽會

日期:2024-03-27 閱讀:1130
核心提示:SPTS Technologies將攜新品亮相本屆盛會,誠邀業(yè)界同仁蒞臨3T32展臺參觀、交流合作。

 2024年4月8-11日,一年一度化合物半導體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業(yè)博覽會(簡稱“JFSC&CSE”)將于武漢光谷科技會展中心舉辦。SPTS Technologies將攜新品亮相本屆盛會,誠邀業(yè)界同仁蒞臨3T32展臺參觀、交流合作。 

本屆CSE博覽會由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦,以“聚勢賦能 共赴未來”為主題,將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業(yè)領袖和創(chuàng)新者,采用“示范展示+前沿論壇+技術與商貿交流”的形式,為產業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準對接平臺,助力企業(yè)高效、強力拓展目標客戶資源,加速驅動中國化合物半導體產業(yè)鏈的完善和升級。

CSE作為2024年首場國際化合物半導體產業(yè)博覽會得到了多方力量的大力支持,三大主題展區(qū),六大領域,將集中展示各鏈條關鍵環(huán)節(jié)的新技術、新產品、新服務,將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產業(yè)的燈塔級盛會,集中展示化合物半導體上下游全產業(yè)鏈產品,搭建企業(yè)發(fā)布年度新產品新技術的首選平臺,支撐產業(yè)鏈及中部地區(qū)建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產業(yè)集群。

 

SPTS Technologies是KLA旗下公司,一家總部位于英國的半導體設備供應商, 設計、制造、銷售和支持刻蝕、PVD、CVD和MVD設備,為世界領先的半導體和微電子器件制造商和研究機構提供先進的晶圓加工技術和解決方案。終端市場應用包括功率、射頻、MEMS、先進封裝和光電。SPTS匯集了Trikon Technologies、STS 和Aviza Technology等公司40多年的晶圓加工經驗,在化合物半導體市場主要提供PVD磁控濺射設備,Etch等離子體刻蝕設備和 PECVD薄膜沉積設備。SPTS在該領域深耕多年,有著豐富的量產經驗,較高的市占率以及良好的聲譽。設備具備優(yōu)異的重復性和穩(wěn)定性、低故障率、長使用壽命、易操作維修等特點。SPTS在中國大陸設立的分公司成立于2005年,總部設在上海,擁有專業(yè)的售前團隊與售后服務團隊,團隊成員均擁有豐富的半導體從業(yè)經驗。SPTS在中國上海專屬的保稅倉庫成立于2007年,另外在同一個時區(qū)還設有另外6個倉庫以保證零部件的緊急調配,以實現(xiàn)對客戶需求的快速響應。 

產品介紹

SPTS Omega® Etch

·SPTS Omega® ICP 處理模塊極為靈活,可蝕刻多種材料,其中包括 GaAs、 GaN、 SiN、氧化物、聚合物、低深寬比的硅和金屬。 SPTS ICP 處理模塊使用的是采用徑向線圈設計的高密度等離子體源,可用于射頻器件和光電器件的應用。

·SPTS Omega® SynapsEtch 處理模塊使用高密度等離子體源來蝕刻strongly bonded的材料。SPTS Omega SynapsEtch 蝕刻工藝模塊會進行加熱且附帶磁約束腔體,因而可提供比傳統(tǒng) ICP 更高的等離子體密度(約 10 倍)。等離子體密度越高,便可對strongly bonded的材料實現(xiàn)更高的蝕刻速率。 Omega SynapsEtch常用于蝕刻介電材料(包括氧化硅、石英和玻璃),還可輕松處理SiC和AlScN。

·ICP和SynapsEtch 均可與LPX、 c2L或fxP晶圓處理平臺兼容,或是與Versalis™ 平臺上的不同 SPTS 蝕刻和沉積模塊相集成。

 SPTS Omega__ Etch

SPTS Sigma® PVD

·SPTS Sigma® PVD 系統(tǒng)支持 100mm 至 300mm 的晶圓尺寸,而 fxP 平臺則會根據具體工藝要求集成不同形式的預處理和沉積技術,包括除氣腔、預清洗腔以及各種工藝腔。

·主要的應用有正面厚鋁沉積、背面的背金工藝, 壓電AlN/AlScN的沉積, TSV背孔的種子層沉積等,服務的領域。包括功率、射頻、 MEMS、先進封裝和光電。

SPTS Sigma__ PVD 

SPTS Delta™ PECVD

·SPTS Delta™ PECVD 系統(tǒng)已廣泛用于射頻、功率、光電、先進封裝和MEMS 市場,尤其是需要低處理溫度的應用。 Delta™ fxP 系統(tǒng)可為各種介電薄膜提供全面的工藝庫,且沉積溫度介于 80°C 至 400°C。該系統(tǒng)還提供單晶圓和多晶圓預熱腔體選項以便對敏感基片進行除氣,以及針對晶圓背面沉積的邊緣接觸處理能力。

·主要應用是GaN器件上低功率、低損傷 的SiN鈍化層的沉積, GaAs 器件上的高均勻性的 SiN鈍化層的沉積, 晶圓背面平衡翹曲的低溫的薄膜沉積,以及各類SiO的沉積等。

SPTS Delta__ PECVD 

值此之際,我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會,蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。

關于JFSC&CSE 2024

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