由浙江大學、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心牽頭，聯(lián)合工業(yè)與信息化部電子第五研究所、廣東工業(yè)大學、電子科技大學、南京大學、佛山市聯(lián)動科技股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、西交利物浦大學、香港科技大學等單位起草的標準T/CASAS 034—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》、T/CASAS 035—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》已完成征求意見稿的編制，兩項標準征求意見稿按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據(jù)第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化工作管理辦法，2024年4月1日起開始征求意見，截止日期2024年5月1日。 

T/CASAS 034—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態(tài)導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。 

T/CASAS 035—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關斷和零電流關斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動態(tài)導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。 

誠摯地邀請具有GaN HEMT動態(tài)導通電阻相關測試數(shù)據(jù)的單位共同討論，支撐標準的完善、實施應用。 

征求意見稿文本請聯(lián)盟成員單位關注聯(lián)絡郵箱，非會員單位可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。