5月9日，據湖南三安半導體官微消息，湖南三安半導體董事長林志東近日作為中國半導體企業代表應邀參加了中法企業家委員會第六次會議。

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項目最新進展。據介紹，位于湖南湘江新區的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時間就點火試產。目前，一期已經全線投產，目前SiC年產能已達到25萬片（6英寸）。二期正在建設中，將全部導入8英寸生產設備和工藝，計劃今年三季度投產。整個項目達產后將實現總計年產48萬片的規模。

據悉，該項目作為國內首個、世界第三個SiC全產業鏈整合研發與制造項目，總投資160億元，規劃用地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產權，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地，業務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環節。該項目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產，并于同年11月量產下線SiC SBD全系列產品。2022年7月，該項目二期工程開工。

產品方面，湖南三安的SiC系列產品主要面向工業級和車規級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅的1200V 16mΩ車規級產品，目前正在數家戰略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導通電阻、最大額定電流產品。

合作方面，湖南三安與維諦技術于3月28日宣布達成戰略合作伙伴關系，雙方將共同推動數據中心、通信網絡等領域的創新與發展。基于此，湖南三安SiC業務有望向數據中心、通信等領域加速滲透。