近日，日本市場研究公司富士經濟發表了一份研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術趨勢》，總結了功率半導體晶圓市場的研究結果。

報告稱，2024年功率半導體市場預計將比上年增長23.4%，達到2813億日元。雖然硅功率半導體硅片市場因庫存調整而較上年下滑，但由于各大廠商產能增加，SiC裸片銷量預計同比增長56.9%，超過硅片市場。

此外，從2025年起，隨著功率半導體需求的不斷增長，市場預計將擴大。特別是，由于汽車電動化帶來的需求增加，SiC裸片有望成為長期市場驅動力，硅片也有望擺脫產量調整的影響。此外，我們還可以期待GaN晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓開始量產等附加內容，預計2035年市場規模將擴大至10,763億日元，是2023年的4.7倍。

盡管功率半導體市場尚未興起，但金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等下一代技術正在開發中，其實際應用值得期待。

報告指出，近年來，隨著功率半導體需求的增加，為了確保供應量，晶圓的直徑不斷增加。除了轉向300mm硅晶圓外，SiC裸晶圓市場預計從2025年起8英寸（200mm）晶圓將真正起飛。此外，正在開發用于功率半導體的 6 英寸（150 毫米）GaN 晶圓和氧化鎵晶圓。

不過，目前硅功率半導體大部分由8英寸晶圓供貨，預計未來8英寸晶圓占比仍將超過60%（基于晶圓數量）。 300mm晶圓越來越多地用于IGBT和MOSFET，隨著汽車和電氣設備領域需求的增加，其采用預計將進一步增加，未來除某些器件外，8英寸和300mm晶圓將分開。是期待。

此外，目前SiC裸片以6英寸為主，預計這種情況還將持續一段時間，但8英寸晶圓市場預計從2025年開始形成，部分樣品出貨已經開始預計到2035年，其將占所有 SiC 裸晶圓（以晶圓數量計）的13.3%。然而，傳統4英寸晶圓預計僅在中國和日本等部分地區部署。預計未來市場規模將會縮小。