成果領域：電子信息

成果名稱 ：增強型GaN電力電子器件

成果簡介： 為了獲得增強型GaN HEMT器件，目前采用的方法包括槽柵技術、氟離子注入、P-GaN技術等，這些技術都會用到刻蝕技術，從而對溝道中的2DEG產生較大影響，影響器件性能。為了避免這種弊端，本技術利用新穎的二次生長方式來構造新型的AlGaN/GaN異質結溝道，保證了溝道2DEG遷移率，從而獲得更優的器件性能。新穎的二次生長技術借助介質墻技術，工藝難度小。自由組合的零偏壓有2DEG部位和無2DEG部位，為器件的設計提供了很大的靈活性。

是一項實用性高的低成本技術。

持有人介紹：董志華，杭州電子科技大學電子信息學院高工，本科畢業于山東大學，博士畢業于北京大學，中科院蘇州納米所博士后，主要研究方向為寬禁帶半導體器件和電路，博士后在站期間實現了國內首支增強型Si襯底AlGaN/GaN功率開關器件。獲得國內發明專利11項，美國授權專利2項，發表SCI索引論文10余篇。

成果相關知識產權：

科研項目：國家自然科學基金青年基金項目61306100    GaN電力電子器件鈍化關鍵技術研究 

來源：杭電科研