據株洲日報消息，7月17日，湖南省高校科技成果轉化工作推進大會暨“雙高”對接活動在株洲舉行。會上舉行了全省“雙高”對接項目簽約儀式，清華大學謝志鵬教授團隊與湖南維尚科技有限公司簽訂“功率半導體用氮化硅基板燒結裝備研制”項目合作協議。

近年來，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發展，對器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。氮化硅陶瓷的理論熱導率可達到 200 W/(m·K)以上，而其熱膨脹系數與芯片的熱膨脹系數相差無幾。大部分陶瓷材料研究者和產業界相關研發人員認為氮化硅陶瓷基板是大規模或超大規模集成電路封裝基板材料的優先選擇。

燒結工藝是氮化硅陶瓷基板生產的關鍵技術之一，氮化硅基板燒結受到溫度、氣氛、氣壓、溫度及氣氛均勻性等的綜合影響，過程極其復雜，極易出現外觀均勻性、尺寸均勻性變差、成品率降低等問題。需要系統開展燒結工藝研究，針對國產原料及相應配方制定與之匹配的燒結工藝，燒結設備。

此次項目合作開展功率半導體用氮化硅基板燒結裝備研制與先進科技成果轉化。謝志鵬教授在會上接受采訪時提到，此次項目落地后，將會解決關鍵制品受制于人的局面。此外，清華大學材料學院與萬融科技、608所等株洲的企業院所，建立了密切的合作關系，部分項目也是被株洲推薦為湖南省“揭榜掛帥”重點項目，以政策為牽引，加速項目落地轉化的進度。