7月24日，湖南三安半導體迎來了又一重要里程碑——芯片二廠M6B設備的入場儀式。在這個值得紀念的日子里，電力電子事業部總經理、湖南三安總經理江協龍先生與公司的高管團隊、各部門主管以及核心員工齊聚一堂，共同見證了這一激動人心的時刻。

江協龍先生在儀式上發表講話，他指出，M6B的成功建成和投產不僅是公司發展史上的一個標志性事件，更是一個嶄新的起點。站在這個新的起點上，湖南三安將繼續秉承創新驅動的發展理念，不斷優化和提升生產能力。在擴大產能的同時，公司也將致力于提高產品質量，力爭打造國內領先的8英寸SiC垂直整合產業鏈。

這一舉措預示著湖南三安SiC項目二期工程的即將全面貫通，為加速8英寸SiC產業布局、實現產線的正式投產奠定了堅實的基礎。隨著M6B設備的入場，湖南三安將進一步提升其在SiC領域的競爭力，滿足市場對高性能SiC芯片的不斷增長的需求。

三安團隊在M6B大樓前為進機剪彩

湖南三安半導體的SiC項目總投資高達160億人民幣，目標是構建一個兼容6英寸和8英寸SiC晶圓的全產業鏈垂直整合量產平臺。一旦項目全面達產，公司將擁有年產36萬片6英寸SiC晶圓和48萬片8英寸SiC晶圓的強大制造能力。

M6B作為該項目的關鍵組成部分，其投產情況自然成為業界關注的焦點。預計到今年12月，M6B將實現設備點亮和通線，屆時8英寸SiC芯片將正式投產，標志著湖南三安半導體將正式邁入8英寸SiC垂直整合制造商的行列。

未來，三安將充分發揮自身優勢，加大研發投入，提高產能，共同推動8吋SiC芯片領域的發展。在市場拓展利好消息的加持下，三安有望加速8吋SiC從材料到器件模塊直至終端應用全流程的落地實施，為我國第三代半導體產業的發展注入強大動力。