據(jù)Fact.MR的報(bào)告預(yù)測(cè)，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以22.9%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率從2024年的14.1億美元增長(zhǎng)至2034年的110.8億美元。SiC和GaN功率半導(dǎo)體具有適合高溫和高頻應(yīng)用的特性，因此在汽車、可再生能源、工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

在汽車領(lǐng)域，它們被用于制造節(jié)能型電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車。由于具備有效的能量轉(zhuǎn)換能力，工業(yè)環(huán)境中的SiC和GaN功率半導(dǎo)體被用于可再生能源逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。未來(lái)幾年，全球范圍內(nèi)持續(xù)不斷的研發(fā)活動(dòng)將進(jìn)一步增強(qiáng)SiC和GaN功率半導(dǎo)體的功能。Fact.MR指出：“消費(fèi)電子微型化趨勢(shì)是推動(dòng)高需求的關(guān)鍵因素。”

創(chuàng)新和收購(gòu)可增強(qiáng)產(chǎn)品供應(yīng)

SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈。行業(yè)巨頭正在采取包括兼并與收購(gòu)在內(nèi)的產(chǎn)品擴(kuò)張戰(zhàn)略，以增加產(chǎn)品供應(yīng)和市場(chǎng)影響力。例如，2023年10月，英飛凌科技股份有限公司宣布收購(gòu)GaN Systems公司。與此同時(shí)，2023年，日本Flosfia開(kāi)始供應(yīng)由氧化鎵制成的功率芯片，其能效甚至高于GaN和SiC。

地區(qū)動(dòng)態(tài)：汽車及可再生能源領(lǐng)域

在美國(guó)，SiC和GaN功率半導(dǎo)體已成為汽車制造不可或缺的一部分，這得益于汽車安全和溫室氣體排放上的嚴(yán)格法規(guī)。隨著汽車制造商努力在其汽車中采用節(jié)油元件，SiC和GaN功率半導(dǎo)體在汽車系統(tǒng)生產(chǎn)中的采用率急劇上升。它們的高能效在提高電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)性能上發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

因此，美國(guó)的SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)以23.4%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，從2024年的1.499億美元增至2034年的12.2億美元。與此同時(shí)，中國(guó)作為半導(dǎo)體制造的主要樞紐脫穎而出。中國(guó)強(qiáng)大的生產(chǎn)能力和消費(fèi)電子產(chǎn)品的大量出口推動(dòng)了對(duì)SiC和GaN功率半導(dǎo)體的需求。此外，太陽(yáng)能板和分布式儲(chǔ)能系統(tǒng)等可再生能源日益普及，推動(dòng)了SiC和GaN功率半導(dǎo)體在這些系統(tǒng)生產(chǎn)中的使用。此外，不斷增長(zhǎng)的工業(yè)自動(dòng)化趨勢(shì)也進(jìn)一步推動(dòng)了中國(guó)SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)，該市場(chǎng)預(yù)計(jì)以22.9%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，從2024年的1.544億美元增長(zhǎng)至2034年的12.1億美元。

2034年SiC功率模塊的銷售額將達(dá)到36.4億美元

在功率模塊所使用的一系列半導(dǎo)體材料中，碳化硅因其能夠最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗而成為最常用的材料。這一固有優(yōu)勢(shì)可減少對(duì)昂貴冷卻系統(tǒng)的依賴，使碳化硅日益成為半導(dǎo)體采購(gòu)商的首選。SiC功率模塊的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是開(kāi)關(guān)損耗極低，尤其在電動(dòng)汽車充電器和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中。這一技術(shù)優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步推動(dòng)SiC功率模塊制造商擴(kuò)大產(chǎn)品供應(yīng)和市場(chǎng)占有率。

這些趨勢(shì)表明，未來(lái)十年，對(duì)SiC功率模塊的需求將繼續(xù)激增，銷售額將以22.6%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率從2024年的4.763億美元增至2034年的36.4億美元。

來(lái)源：閱芯電子科技