天眼查顯示，華羿微電子股份有限公司近日取得一項名為“新型功率MOSFET器件及其制備方法”的專利，授權公告號為CN109524472B，授權公告日為2024年7月19日，申請日為2018年12月29日。
本發明屬于半導體功率器件技術領域，具體涉及到一種新型功率MOSFET器件及其制備方法，器件包括漏極金屬區層、N+單晶硅襯底、N 外延層、P型阱區層、N+源極區、絕緣介質層、源級金屬區層，還包括溝槽；第一柵氧化層和第二柵氧化層；第一多晶硅層和第二多晶硅層及接觸孔。本發明還提供了該器件的制備方法，本發明使得器件擁有較低Qgd的同時，也擁有較低的導通電阻，且制備方法無需增加新的成本，提高了市場競爭力，且具有推廣價值。
