2024年10月14日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測試方法》等9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會草案（CD），9項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。請聯(lián)盟標(biāo)委會正式成員關(guān)注秘書處郵件。
聯(lián)盟標(biāo)委會非正式成員及非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。 委員會草案標(biāo)準(zhǔn)列表
2024年1月11日，SiC功率器件與模塊工作組于浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心召開第一次工作會議，初步確定了SiC MOSFET可靠性評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)的整體布局；經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)、征集起草小組、召開起草小組會議，標(biāo)準(zhǔn)文稿反復(fù)討論、修改；2024年7月10日，SiC功率器件與模塊工作組于復(fù)旦大學(xué)/上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心召開第二次工作會議，全面集中討論了標(biāo)準(zhǔn)草案；其中9項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)于7月19日形成征求意見稿，為期一個(gè)月的廣泛征求意見秘書處收到了來自行業(yè)上下游百余條意見或建議；10月14日，9項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案。
