10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標。 FOX采用了無貴金屬單晶生長技術，旨在以比碳化硅更低的成本生產出低缺陷程度與硅相當?shù)?beta;-氧化鎵襯底。 

據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比，β-氧化鎵具有更寬的帶隙和更低的能量損耗，因此有望成為下一代功率半導體材料。此外，與硅一樣，β-氧化鎵也可以從原材料熔體中熔融生長，因此可一次生產出大量高質量單晶，理論上可以低成本、低缺陷地生產單晶襯底。 

然而，在傳統(tǒng)的晶體生長方法中，盛放高熔點氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥，并且需要定期進行重鑄。因此，銥相關的成本占了包括半導體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上，這使得降低β-氧化鎵器件制造成本變得困難。目前，β-氧化鎵襯底比碳化硅更貴。 

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶體生長）方法，無需使用貴金屬坩堝，即可生產出β-氧化鎵塊狀單晶，其低缺陷程度可與硅相當。 據(jù)介紹，F(xiàn)OX初期階段將集中于使用OCCC法開發(fā)半導體級大尺寸化技術，加速技術開發(fā)，力爭在2028年內確立6英寸晶圓的量產技術。此后，F(xiàn)OX將進一步擴建量產工廠，推進6英寸晶圓的驗證。 

目前，除日本企業(yè)外，國內相關企業(yè)也在積極布局氧化鎵產業(yè)，并取得了一定進展。其中，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。 隨后在9月12日，據(jù)富加鎵業(yè)官微消息，其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設。 

同在9月，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，晶旭半導體二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目于2023年12月開工建設。目前，項目主體已經全部封頂，預計年底之前具備設備模擬的條件。 

（來源：集邦化合物半導體）