近日，睿創微納控股子公司睿思微系統（煙臺）有限公司（簡稱“睿思微系統”）在GaN基大功率S波段微波功率放大器的研究中取得重要進展。研發團隊通過研究發現AlGaN/GaN HEMT器件在高溫、大功率應用場景下性能退化的物理機制，通過優化器件結構，成功將 PA（功率放大器）的增益提高 1dB，效率提升 2.6%。此次在GaN基大功率微波功率放大器領域取得的突破，為后續的產品開發和量產奠定了堅實基礎。