隨著新材料、新工藝和新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，化合物半導體激光器件的性能得到進一步提升。朝著更高功率、更寬波長范圍、更高效率和更穩(wěn)定性能的方向發(fā)展，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。
2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）、先進半導體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。
日前，化合物半導體激光器技術(shù)及應(yīng)用分會日程出爐，分會得到了國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司的協(xié)辦支持。復旦大學信息科學與工程學院院長遲楠、南方科技大學教授張保平，北京大學教授、廣西颶芯科技有限責任公司董事長胡曉東受邀將聯(lián)袂主持本屆分論壇。
屆時，中國科學院半導體研究所研究員趙德剛，北京大學教授、廣西颶芯科技有限責任公司董事長胡曉東，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司高級工程師趙武，蘇州思體爾軟件科技有限公司茅艷琳，中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員、鎵銳芯光董事長劉建平，復旦大學研究員沈超，北京工業(yè)大學教授解意洋，中國電子科技集團第十三研究所王祎瑋等實力派專家們將齊聚一堂，分享主題報告，聚焦探討化合物半導體激光器技術(shù)及應(yīng)用的前沿趨勢，敬請期待！
分會詳細日程
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技術(shù)分論壇: 化合物半導體激光器技術(shù)及應(yīng)用 Technical Sub-Forum: Compound Semiconductor Laser Materials and Devices and Their Applications |
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時間：2024年11月21日13:50-16:45 地點：蘇州國際博覽中心G館 • G105 Time: Nov 21, 13:50-16:45 Location: Suzhou International Expo Centre • G105 |
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協(xié)辦支持 Co-organizer
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國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州） National Center of Technology Innovation for Wide Bandgap Semiconductors (Suzhou) 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. 蘇州思體爾軟件科技有限公司 Suzhou STR Software Technology Co. Ltd. 中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China |
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主持人 Moderator |
遲 楠/CHI Nan 復旦大學信息科學與工程學院院長 Dean of School of Information Sciences and Engineering, Fudan University
張保平/ZHANG Baoping 南方科技大學教授 Professor of Southern University of Science and Technology
胡曉東/HU Xiaodong 北京大學教授、廣西颶芯科技有限責任公司董事長 Professor of Peking University and President of Hurrichip Co.,ltd |
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13:50-14:00 |
嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
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14:00-14:20 |
氮化鎵基紫外激光器 Gallium Ntride based Ultraviolet Laser 趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員 ZHAO Degang——Professor，Institute of Semiconductor, CAS |
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14:20-14:40 |
基于三維六角疊層掩膜的GaN激光器的外延生長 Epitaxial Growth of GaN Lasers based on Three-dimensional Hexagonal Lamination Mask 胡曉東——北京大學教授、廣西颶芯科技有限責任公司董事長 HU Xiaodong——Professor of Peking University, President of Hurrichip Co.,ltd |
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14:40-15:00 |
高功率邊發(fā)射和面發(fā)射半導體激光器 High Power Edge-emitting and Face-emitting Semiconductor Lasers 趙武——蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司高級工程師 ZHAO Wu——Senior engineer of Suzhou Everbright Photonics Co., Ltd |
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15:00-15:15 |
III-V基和GaN基激光發(fā)射器的建模 Modeling of III-V and GaN-based Laser Emitters 茅艷琳——蘇州思體爾軟件科技有限公司 MAO Yanlin——Suzhou STR Software Technology Co. Ltd. |
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15:15-15:30 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:30-15:50 |
GaN 可見光激光器外延生長與新型結(jié)構(gòu)器件 Epitaxial Growth and Novel Structure of GaN Visible Laser 劉建平——中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員、鎵銳芯光董事長 LIU Jianping——Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), CAS & Chairman of GaNBright |
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15:50-16:10 |
面向光互連與量子應(yīng)用的氮化鎵基激光器技術(shù)研究 Advances of GaN-based Laser Diodes for Optical Interconnects, Atomic and Quantum Applications 沈 超——復旦大學研究員 SHEN Chao——Professor of Fudan University |
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16:10-16:30 |
基于超表面光電集成的片上結(jié)構(gòu)光生成 On-Chip Generation of Structured Light based on metasurface Optoelectronic Integration 解意洋——北京工業(yè)大學教授 XIE Yiyang——Professor of Beijing University Of Technology |
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16:30-16:45 |
生長溫度對量子級聯(lián)激光器超晶格晶體質(zhì)量的影響研究 Effect of Growth Temperature on the Crystal Quality of Quantum Cascade Laser Superlattices 王祎瑋——中國電子科技集團第十三研究所 WANG Yiwei——Hebei Semiconductor Research Institute |
參會聯(lián)系
