2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。 

西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告。 

高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件，尤其是氮化鎵（GaN）毫米波功率器件，在高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著舉足輕重的作用。在大容量超高速移動(dòng)通信、高分辨成像雷達(dá)等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件技術(shù)在提升系統(tǒng)效率、可靠性以及應(yīng)對(duì)復(fù)雜環(huán)境方面具有顯著優(yōu)勢，是未來高新技術(shù)發(fā)展的重要方向。，西安電子科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得了系列重要進(jìn)展。報(bào)告將分享相關(guān)研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)期待！

嘉賓簡介

張進(jìn)成

西安電子科技大學(xué)副校長、教授

 張進(jìn)成，西安電子科技大學(xué)副校長、教授，西安電子科技大學(xué)副校長、寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，曾擔(dān)任ICNS、DRIP、APWS等國際學(xué)術(shù)會(huì)議電子器件分會(huì)主席，微電子學(xué)院副院長，科學(xué)研究院院長。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕c超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件，發(fā)表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權(quán)發(fā)明專利80余項(xiàng)，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報(bào)道。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)（排名第一和第二），省部級(jí)科技一等獎(jiǎng)4項(xiàng)以及國家教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。1998年起師從中國科學(xué)院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。

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