2024年11月12日，天科合達官微宣布，公司“第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目”開工儀式在北京順利舉行。

該擴產項目旨在打造行業內領先的智能化生產線，量產8英寸碳化硅襯底。該項目全面投產后，公司的產能將得到顯著提升，進一步鞏固其在碳化硅襯底市場的領先地位。楊建總經理在致辭中表示：

“公司核心產品為6-8英寸碳化硅襯底，技術參數指標與國際龍頭企業相當，產品質量達到國際先進水平，已向國內外多家企業及科研機構批量供應，為國產碳化硅材料在功率器件、微波射頻器件等領域的應用奠定了基礎。同時，公司的產品暢銷至日本及歐美在內的20多個國家和地區，是國內少數能夠進入國際知名企業的高端技術產品。”天科合達表示，隨著北京二期項目的啟動，標志著天科合達開啟了嶄新的發展篇章，同時為區域經濟的蓬勃發展注入了新的動力。該項目不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領域的技術進步和產能擴張，也能通過優化生產流程和提高效率，有效降低成本。

來源：天科合達官微