在混合動力及電動汽車、電力和光伏 逆變器等多種需求的推動下，SiC和GaN功率半導體市場規模持續增長，陶瓷基板的結構和材料選擇對功率半導體器件的性能和應用領域有重要影響。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。   

期間，”碳化硅功率器件及其封裝技術 I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術“的主題報告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發展現況，以及博睿陶瓷基板研究進展等內容。

梁超

江蘇博睿光電股份有限公司副總經理

博睿光電陶瓷基板的研究方向，涉及高性能AlN陶瓷基板、基于AlN基板的金屬化技術等。熱導率的持續提升是研究的焦點，材料缺陷產生的聲子散射為制約其熱導率提高的核心問題。報告分享了高導熱AlN陶瓷的研究思路，超高導熱AlN陶瓷制備技術，高導熱AlN陶瓷翹曲控制、高導熱AlN陶瓷基板表面拓撲控制、AlN陶瓷基板金屬化技術等研究進展，以及高導熱+[超薄·高強·高韌]基板性能新挑戰等。

報告指出，AlN陶瓷基板的熱導率提升有利于助推其更廣闊的應用前景。超高導熱AlN陶瓷基板的低成本制造技術突破將會推動AlN陶瓷基板進入更多應用領域。高性能AlN陶瓷基板與DPC/AMB/DBA金屬化技術的充分結合，將會更好的滿足未來高密度封裝的發展需求。

（根據現場資料整理，僅供參考）