隨著技術的不斷進步，SiC IGBT器件的封裝材料進一步優化，以滿足更嚴苛的應用需求，推動電力電子裝備向高效化、小型化方向發展‌。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，北京康美特科技股份有限公司研發總監龐凱敏帶來了“高可靠性碳化硅基IGBT器件封裝材料”的主題報告，分享了灌封材料的性能要求、灌封材料的選擇、環氧灌封膠設計等內容。

龐凱敏

北京康美特科技股份有限公司研發總監

碳化硅IGBT器件灌封材料的選擇對其性能和壽命有著至關重要的影響。高功率密度需求催生封裝材料和工藝不斷選代。高可靠性IGBT灌封膠具有耐高溫、耐高壓、機械強度-高低溫循環等性能要求。報告顯示，環氧灌封膠設計技術難點涉及低膨脹系數與低模量間難以平衡的矛盾，高填充體系的高黏度難題，高填充材料普遍面臨粘接強度不足的挑戰。為了提高環氧灌封膠的韌性，可以在環氧機體中引入增韌劑，或通過分子結構設計引入柔性鏈段。

提高熱灌封膠的熱導率，有利于將熱量從芯片等器件導出，提高散熱效率，確保IGBT的溫度控制和性能穩定。提高環氧灌封材料導熱性能，在不影響工藝性和可靠性的前提下，盡可能多的添加合適的導熱填料。

報告指出，通過材料結構和組成優化，設計制備出可以滿足現有SiC功率器件灌封用的環氧樹脂灌封膠。SiC功率器件用的環氧灌封膠的耐熱性和耐高低溫沖擊等性能，有待進一步提升。 

(根據現場資料整理，僅供參考)