當前，特色半導體領域中企業創新，面臨著單一產品線企業不足以承擔前期沉默成本，包括半導體工廠建設的資本支出和時間成本等諸多挑戰。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，國家5G中高頻器件創新中心/深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理、CTO 做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。

 
國家5G中高頻器件創新中心/深圳市匯芯通信技術有限公司副總經理、CTO 

報告指出，特色半導體領域中企業創新，面臨著單一產品線企業不足以承擔前期沉默成本，包括半導體工廠建設的資本支出和時間成本；新企業往往無法同時具備的芯片從“市場應用-產品設計-工藝開發-工廠制造”的長鏈條的團隊和相應的管理能力；行業領軍企業同樣需要在多樣化的特色工藝路線上的具備量產條件的技術開發資源等挑戰。 

國家5G中高頻器件創新中心的核心任務加速新材料/工藝/器件從中試到量產商用，創新地提出Lab-in-Fab的技術創新模式（簡稱FLAB模式）：在成熟的量產工藝線上建設三代半導體特色工藝線，并結合創新中心的內部技術中臺支持合作伙伴的客制化特色半導體量產工藝創新，在業界首創地提出“0.49”開發業務邊界內，賦能合作伙伴-特色半導體技術創新型企業和機構，助力伙伴在無沉默成本投入的條件下同時擁有專有工藝/產品創新能力與成熟工藝平臺的量產能力。

國家5G中高頻器件創新中心在此模式下推進技術資源平臺化/技術開發流程化/技術能力工具化，建成業界領先的硅基GaN有源器件和硅基AlN無源器件的模塊化基線工藝平臺，全流程的工具鏈支持和量產加速工具包， 為合作伙伴的定制化工藝和器件開發提供了前所未有的技術創新體驗。例如，在創新中心的硅基AlN無源器件的模塊化基線工藝平臺上，莫合作伙伴聚焦器件結構創新和先進工藝模塊定制開發，包括DUV先進光刻工藝和小角度的金屬薄膜刻蝕工藝，在兩個月內實現一種11層光刻的高頻濾波器器件的原型開發，并啟動SPC統計工藝控制的數據收集。

此外，創新中心與資本緊密配合，打造技術資源+資本賦能的特色半導體技術創新生態，堅信三代半特色半導體的長期價值創造在于細分市場的應用需求和半導體技術和產品創新的高效匹配。

關于匯芯通信

深圳市匯芯通信技術有限公司由深圳市政府、清華大學、南方科技大學發起，聯合多家5G產業鏈上下游龍頭企業和上市公司共同成立，是目前我國在5G移動通信領域唯一的國家級制造業創新中心“國家5G中高頻器件創新中心”的依托公司，專注于5G通信中高頻器件領域前沿技術和共性關鍵技術的研發供給、轉移擴散和首次商業化應用。目前在量產工藝線上建設了硅基氮化物射頻和毫米波量產工藝技術中試平臺、特色工藝設計工具開發平臺、射頻和毫米波前端器件封測與驗證平臺三大公共技術服務平臺，向產業鏈企業提供最專業的技術服務。

（根據現場資料整理，僅供參考）