近年來，氧化鎵PECVD外延生長技術取得了顯著進展，為高性能器件的制備提供了重要支持。隨著薄膜質量的提升和摻雜技術的進步，制備出高性能的電力電子器件和光電探測器將成為可能，進一步提升氧化鎵材料的應用價值。

 近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。期間，“超寬禁帶半導體技術 I”分會上，南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發總監李山做了“氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究”的主題報告，分享了PECVD 外延生長及調控、氧化鎵光電信息傳感器件等研究進展。涉及PECVD 外延生長的腔壓調控、溫度調控、生長模式、退火調控、合金摻雜調控，InGaO光電探測器，InGaO的PPC效應，InGaO合金化合物薄膜，神經形態視覺傳感器等內容。

李山

南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發總監 

報告顯示，其研究團隊，從超寬禁帶半導體氧化鎵的豐富物理特性中拓展出新穎信息感知應用。報告指出，基于PECVD（調控腔壓、溫度）開發了2英寸氧化鎵薄膜外延生長技術，實現了氧化鎵薄膜島狀模式生。通過氧氣氛溫度退火有效降低PECVD氧化鎵外延薄膜的氧空位缺陷，光暗電流比提升2個數量級。In/Ga合金摻雜實現InGaO薄膜帶隙寬度從3.9~4.9 eV的連續性調控。摻雜0.02比例的InGaO MSM器件實現高質量的光學成像。0.1摻雜比例的InGaO薄膜存在相分離，缺陷和晶界協同增強PPC效應，實現神經形態視覺傳感器的感存功能應用。

嘉賓簡介

李山，南京郵電大學院副教授，碩士生導師，World's Top 2% Scientists (2023/2024)，江蘇省科協青年托舉人才。聚焦于超寬禁帶半導體氧化鎵材料生長及信息感知器件研究，近五年來以第一作者或通訊作者發表高水平學術論文30余篇，包括IEEE TED/EDL/PTL、APL、JPCL等，被引2000余次。主持/參與課題10余項，包括國家重點研發計劃、國家自然科學基金重點和青年項目、江蘇省雙創團隊項目、蘇州市揭榜掛帥項目等。

蘇州鎵和半導體有限公司

蘇州鎵和半導體有限公司是一家專業從事氧化鎵材料、相關器件及其應用研發的高科技企業。公司的核心技術源于創始團隊十多年來在該領域的研究成果，我們提供一系列的服務，包括生產研發高質量單晶襯底和外延晶片、單晶及外延設備、高靈敏日盲紫外探測器件、高壓高溫高頻率大功率電力電子器件以及滿足特定要求的定制服務。 

（根據現場資料整理，僅供參考）