2025年1月8日消息，根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新公布的2024年第四季度《全球晶圓廠預測》報告預計，2025年全球將有18座新的晶圓廠開工建設。同時，預計2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達到3360萬片約當8英寸晶圓，同比將增長6.6%。

2025年全球將有18座晶圓廠開工

報告顯示，2025年全球將有15座12英寸（300mm）晶圓廠和3座8英寸（200mm）晶圓廠開工建設，其中大部分都將在2026年至2027年開始運營。從2025年新建晶圓廠的區(qū)域來看，美洲有4座，這主要得益于美國《芯片與科學法案》配套的補貼政策的刺激；日本也有4座，這也主要是由于日本積極發(fā)展本土半導體制造業(yè)，以及臺積電熊本晶圓廠的帶動；中國大陸地區(qū)由于前幾年持續(xù)的進行了大規(guī)模興建晶圓廠，因此2025年有所放緩，似乎只有3座新晶圓廠會開建；歐洲及中東地區(qū)有3座，中國臺灣有兩個項目，韓國和東南亞則各有一座晶圓廠。

2024年第四季度的《全球晶圓廠預測》報告涵蓋2023年至2025年，報告顯示全球半導體行業(yè)計劃開始運營的新的高容量晶圓廠多達97座。其中包括2024年的48個項目和2025年將啟動的32個項目，晶圓尺寸從50mm到300mm不等。

Semi 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 說，“半導體行業(yè)已經(jīng)到了關鍵時刻，投資推動了前沿和主流技術的發(fā)展，以滿足不斷變化的全球需求。生成式 AI 和高性能計算正在推動前沿邏輯和內存領域的進步，而主流制程工藝節(jié)點將繼續(xù)支撐汽車、物聯(lián)網(wǎng)和電力電子領域的關鍵應用。18 個新的半導體晶圓廠將于 2025 年開始建設，這表明該行業(yè)致力于支持創(chuàng)新和顯著的經(jīng)濟增長。”

2025年全球晶圓產(chǎn)能將達每月3360萬片8英寸晶圓

從產(chǎn)能來看，預計2025年全球每月的晶圓產(chǎn)能將達到3360萬片約當8英寸晶圓，同比將增長6.6%。其中，由于芯片制造商正在積極擴大先進制程節(jié)點產(chǎn)能（7nm 及以下），預計到 2025 年將增長到 220萬片/月，年增長率將達到行業(yè)領先的 16%。

在中國大陸芯片自給自足戰(zhàn)略以及汽車和物聯(lián)網(wǎng)應用預期需求的推動下，2025年全球主流制程節(jié)點（8nm~45nm）的產(chǎn)能預計將在2025年將再增加 6% 的容量，達到1500萬片/月的里程碑。成熟的技術節(jié)點（50nm 及以上）目前正在經(jīng)歷更保守的擴張，這反映了這一市場復蘇緩慢和產(chǎn)能利用率低。預計這一細分市場2025年的產(chǎn)能將達到 1400萬片/月，同比將增長 5%。

晶圓代工產(chǎn)能同比增長10.9%

預計2025年晶圓代工廠商的總產(chǎn)能將達到1260萬片/月，相比2024年的1130萬片/月增長了10.9%。這也意味著晶圓代工廠商仍將是2025年半導體設備采購的領導者。從整個存儲芯片市場來看，其產(chǎn)能將在2024年和2025年分別小幅增長 3.5% 和 2.9%。然而，強勁的生成式 AI 需求，正在推動存儲市場的重大變化，特別是對于高帶寬內存 （HBM） 的需求正在激增，這也導致了DRAM 和 NAND Flash之間產(chǎn)生了不同的產(chǎn)能增長趨勢。

SEMI預計 DRAM產(chǎn)能將保持強勁增長，預計 2025 年將同比增長約 7%，達到 450萬片/月。相反，NAND Flash 的裝機容量預計將同比增長 5%，達到 370萬片/月。

（來源：芯智訊）