1月10日，西安電子科技大學集成電路學部在實現鈣鈦礦太陽能電池商業化上取得重要突破，研究成果以“Wafer-scale monolayer MoS2 film integration for stable, efficient perovskite solar cells”為題，以合作作者單位在線發表于《科學》（Science）期刊上。其中集成電路學部蘇杰副教授為共同第一作者，常晶晶教授為共同作者。

鈣鈦礦太陽能電池商業化的主要挑戰之一是實現高功率轉換效率（PCE）和長期穩定性，而優化其轉化效率和穩定性的主要方法是控制鈣鈦礦薄膜中離子遷移。盡管利用界面工程可以有效控制離子遷移，但目前報道的物理或化學方法會導致界面重構和初始界面性能的喪失進而影響界面載流子輸運。如何構建一種能夠充分阻斷離子遷移但又不影響載流子傳輸的界面，對于實現高效穩定鈣鈦礦太陽能電池至關重要。

鑒于此，西安電子科技大學集成電路學部的常晶晶教授和蘇杰副教授與北京大學周歡萍教授和張艷鋒教授等人提出利用晶圓級連續單層MoS2插入鈣鈦礦/電子傳輸層和鈣鈦礦/空穴傳輸層界面，通過物理方法阻斷鈣鈦礦離子向傳輸層遷移，并通過強配位相互作用在化學上穩定甲酰胺鉛碘化物相。同時利用Pb-S鍵有效鈍化鈣鈦礦表面態和利用I型能帶排布有效阻擋少數載流子傳輸。最終使得具有MoS2/鈣鈦礦/MoS2配置的p-i-n型鈣鈦礦太陽能電池及模塊效率分別高達26.2%和22.8%，高溫（85℃）穩定性在1200小時損失小于4%。

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Huachao Zai†, Pengfei Yang†, Jie Su†, Ruiyang Yin†, Rundong Fan, Yuetong Wu, Xiao Zhu,Yue Ma, Tong Zhou, Wentao Zhou, Yu Zhang, Zijian Huang, Yiting Jiang, Nengxu Li, Yang Bai,Cheng Zhu, Zhaohui Huang, Jingjing Chang, Qi Chen, Yanfeng Zhang*, Huanping Zhou*, Wafer-scale monolayer MoS2 film integration for stable, efficient perovskite solar cells

來源：西電集成電路學部