天眼查顯示，上海新微半導體有限公司“垂直腔面發射激光器的外延結構及其校驗方法”專利公布，申請公布日為2024年12月27日，申請公布號為CN119209203A。
本發明提供一種垂直腔面發射激光器的外延結構及其校驗方法，該校驗方法通過采用Al的摩爾分數大于60％的AlGaAs材料作為緩沖層的GaAs襯底的垂直腔面發射激光器的外延結構進行外延校驗，在進行外延校驗時對AlGaAs緩沖層的外延生長進行原位監測，進而減少試生產的次數，提高外延校驗效率，此外，通過采用外延工藝于GaAs襯底上生長Al的摩爾分數大于60％的AlGaAs緩沖層，同時在該外延工藝過程中于外延工藝腔室內壁上沉積Al的摩爾分數大于60％的AlGaAs材料作為內壁保護層，以此來減少甚至避免外延生長時外延工藝腔室內的雜質顆粒掉落在外延生長的膜層表面形成缺陷，同時還可以去掉單獨于外延工藝腔室內壁上沉積內壁保護層的爐次，進一步提高外延校驗效率。
