2025年2月24日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過1項硅襯底氮化鎵外延片方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：

秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 060—202X 《HEMT器件用硅襯底氮化鎵外延片》旨在規范用于制備HEMT用的Si襯底GaN外延材料在關鍵參數要求、測試方法、檢測規則、包裝運輸等方面的標準，為后續制造GaN功率器件提供基礎。目前市場Si襯底GaN外延材料以6英寸和8英寸為主，本文件對6英寸和8英寸外延材料做了規范。首先提出了使用的Si襯底的參數要求；其次提出了外延片的材料的晶體質量、外延層厚度及翹曲、表面顆粒、表面粗糙度等要求；也提出了外延材料的二維電子氣(2DEG)濃度、遷移率、方阻不均勻性、緩沖層垂直擊穿電壓及漏電流等參數要求，以確保外延片性能符合器件性能和應用的需求；同時還應提出了外延片厚度不均勻性的要求，使生產的大尺寸GaN-on-Si外延片能夠確保器件在量產過程中保持較高良率。此外，還需要針對GaN-on-Si外延片關鍵參數的檢測方法和檢測規則制定規范化標準，以便對符合標準的外延片進行認證和標識。 

蘇州晶湛半導體有限公司

晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦，坐落于蘇州市工業園區，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的先鋒廠商，技術實力處于國際領軍地位。

在公司發展過程中，晶湛在業內創造過多項創舉。2014年底，晶湛半導體率先在全球發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，實現了國內氮化鎵產業的重要升級。2021年9月，晶湛半導體成功發布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內外廣泛關注。經過多年的專注發展，晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發和產業化的領軍企業，通過與全球數百家知名半導體科技企業、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發布相關創新成果，引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。

晶湛半導體高度重視自主研發和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有獨立的自主知識產權，晶湛半導體目前已在國內外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權。公司還先后榮獲國家級專精特新小巨人企業、國家知識產權優勢企業、高新技術企業、江蘇省企業工程技術研究中心、江蘇省潛在獨角獸企業、江蘇省瞪羚企業、江蘇省百件優質發明專利、江蘇省高質量發明專利、蘇州市技術發明一等獎、蘇州市優秀專利獎等一系列資質和榮譽。

蘇州晶湛半導體有限公司將一直秉承著“成為世界領先的第三代半導體材料供應商”的愿景，為客戶創造價值。