2025年4月29日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟編寫的《第三代半導體產業發展報告（2023）》（以下簡稱“報告”）在全體成員積極參與下，在廣大專家支持把關下，重磅發布！

報告對2024年度國內外第三代半導體產業的政策環境變化、產品技術進展、產業及市場競爭等方面的進展進行了詳細總結分析，助力政府部門及企事業單位在第三代半導體領域的決策支撐。報告從形勢政策、市場應用、生產供給、企業格局、技術進展等五大方面進行分析，并對超寬禁帶半導體材料、專用裝備、標準等相關進展進行總結。   

總體而言，2024年，在新能源汽車、消費電子、人工智能、5G-A 等需求拉動下，國內第三代半導體產業保持高增長態勢。其中，功率器件市場規模達到176億元，同比增長14.8%；射頻器件市場規模為108 億元，同比微增4.5%；LED 器件市場規模為784 億元，與去年基本持平。國內碳化硅（SiC）襯底產能快速擴張，價格下滑明顯。晶圓制造能力大幅提高，國產SiC MOSFET 器件開始應用于新能源汽車主驅系統，SiC 模塊實現大批量供應。SiC龍頭企業市場占有率進一步提高，材料企業進入全球第一梯隊。GaN 功率電子產能利用率和產量快速提升，龍頭企業出貨量翻倍增長，居全球領先地位。2024年，國內 6 英寸SiC 襯底實現規模化供貨，8 英寸逐步量產，12 英寸研發成功，溝槽型SiC MOSFET 芯片工藝流程貫通。6 英寸GaN 單晶襯底開始小批量生產，8英寸藍寶石基GaN 單晶實現厚膜生長。GaN 功率器件耐壓水平拓展至1200V-10kV，雙面散熱、驅動集成封裝產品持續推出。GaN 射頻異質集成技術成為熱點，面向移動終端的GaN 解決方案啟動部署。Micro-LED 紅光亮度提升，全彩化技術路線快速演進，紫外光源與探測、大功率激光器產業化能力提升。

展望2025年，在全球市場復蘇和國家“兩新”、“兩重”、“雙碳”等政策助力下，第三代半導體產業將催生更多新增長點，并帶動功率及射頻電子產值增速達到 20%以上。

感謝聯相關專家、相關領導及會員單位對報告完成及聯盟工作的大力支持！報告電子版已發送到聯盟各會員單位郵箱，如有未收到的請與聯盟秘書處聯系。

聯系人：李娟 010-82388680  lijuan@casa-china.cn

（來源：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟）