T/CASAS 053—2025《氮化鋁拋光片位錯密度的測試 腐蝕坑法》描述了用擇優化腐蝕技術測試氮化鋁拋光片中位錯密度的方法。適用于拋光加工后位錯密度小于107 個/cm2的氮化鋁拋光片位錯密度的測試，適用于1 inch、2 inch、3 inch、4 inch直徑氮化鋁拋光片的測試。氮化鋁外延片可參照使用。

【本文件主要起草單位】

奧趨光電技術（杭州）有限公司、北京中材人工晶體研究院有限公司、北京大學、中國電子科技集團公司第四十六研究所、深圳大學、中國科學院半導體研究所、山東大學、中國人民解放軍國防科技大學、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、至芯半導體（杭州）有限公司、蘇州紫燦科技有限公司、北京大學東莞光電研究院、山東力冠微電子裝備有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

【本文件主要起草人】

王琦琨、吳亮、周振翔、于彤軍、程紅娟、武紅磊、劉志彬、張雷、王廣、張童、倪逸舟、岳金順、王新強、宋德鵬、高偉。

T/CASAS 054—2025《氮化鋁拋光片吸收系數測試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數的測試方法，包括原理、儀器設備、測試條件、樣品、測試步驟、結果計算和測試報告。適用于氮化鋁拋光片的光學質量控制和評估。氮化鋁外延片可參照使用。

【本文件主要起草單位】

中國科學院半導體研究所、奧趨光電技術(杭州)有限公司、北京大學、中國電子科技集團公司第四十六研究所、山東大學、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、山西中科潞安半導體技術研究院有限公司、北京大學東莞光電研究院、山東力冠微電子裝備有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

【本文件主要起草人】 

劉志彬、吳亮、于彤軍、程紅娟、張雷、徐廣源、張童、王新強、宋德鵬、高偉。

（來源：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟）