一、中國科學院半導體研究所

中國科學院半導體研究所申請公開一項名為“一種基于超級電容的半導體激光器脈沖驅動電路”的專利，申請公布號CN120090041A，申請公布日2025.06.03，申請日2025.01.22。專利摘要顯示，本申請公開了一種基于超級電容的半導體激光器脈沖驅動電路，屬于電子電路技術領域。該電路包括：至少一個超級電容，其為垂直腔面發射激光器供電；電流控制與采樣線路，其控制垂直腔面發射激光器的電流流通和關閉，同時通過其對超級電容的放電電流進行采樣和監測，電流控制與采樣線路與垂直腔面發射激光器和超級電容串聯組成激光器放電回路；充電電路，其通過電流采樣點的采樣結果動態調節其所輸出的電壓，進而調節超級電容的電壓值。本申請利用超級電容對垂直腔面發射激光器進行供電能夠實現毫秒級別長脈沖、大電流的驅動電流輸出，同時利用實際應用的占空比限制，降低了電路前端電源的平均功率要求，進而降低成本。
中國科學院半導體研究所授權公開一項名為“半導體激光器”的專利，授權公告號CN115832870B，授權公告日2025.05.30，申請日2022.11.09。專利摘要顯示，本發明公開提供了一種半導體激光器，所述半導體激光器包括在襯底表面依次生長的緩沖層、下限制層、下波導層、有源區、上波導層、上限制層、帽層、頂部電極，和形成于襯底背面的底部電極，所述上限制層、帽層和頂部電極形成脊條，所述脊條上設置有模式調控陣列結構，所述模式調控陣列結構包括溝道和箭頭結構陣列，所述溝道形成于所述脊條的兩側，所述箭頭結構陣列包括多個箭頭結構單元，每個所述箭頭結構單元包括至少一個箭頭，其中，所述箭頭結構陣列中的箭頭結構單元形成于所述半導體激光器的側向光場分布的N1階模式的峰值位置，N為大于等于2的整數。

二、華光光電子

山東華光光電子股份有限公司申請公開一項名為“一種具有模式控制的VCSEL器件及其制備方法”的專利，申請公布號CN120090046A，申請公布日2025.06.03，申請日2025.02.13。專利摘要顯示，本申請提供的一種具有模式控制的VCSEL器件及其制備方法涉及半導體激光器技術領域。該VCSEL器件沿著外延生長方向依次包括襯底、緩沖層、氮化物外延DBR層、N型半導體材料層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型半導體材料層、電流限制層和電流擴展層，并共同形成圓柱形臺階結構，且臺階面位于N型半導體材料層。臺階面上設置有N型歐姆電極。電流擴展層的上方設置有頂部DBR層，且頂部DBR層呈上端直徑小下端直徑大的錐臺結構。頂部DBR層的圓錐側面上設置有吸收層。電流擴展層上設置有P型歐姆電極。本申請提供的一種具有模式控制的VCSEL器件及其制備方法能夠有效解決VCSEL器件光場分布不均勻的問題。

三、仕佳光子

河南仕佳光子科技股份有限公司申請公開一項名為“一種光波長可調節的激光器芯片及其制備方法”的專利，申請公布號CN120090044A，申請公布日2025.06.03，申請日2025.02.20。專利摘要顯示，本發明提出了一種光波長可調節的激光器芯片及其制備方法，屬于激光器芯片及其制備的技術領域，用以解決半導體激光器波長難以調節的技術問題。本發明激光器芯片包括襯底，襯底背面設有N面電極，襯底正面生長有外延材料，所述外延材料的上表面設有直波導和加熱波導，外延材料的上表面除直波導和加熱波導外的區域設有絕緣介質層，直波導上設有P面電極，加熱波導上設有加熱電極；本發明還包括上述激光器芯片的制備方法。本發明在激光器P面電極工藝中，同時制備了P面電極和加熱電極，在P面電極加電的同時也在加熱電極上加電，改變材料的折射率，達到調節波長的目的。

四、格恩半導體

安徽格恩半導體有限公司申請公開一項名為“一種GaN基藍光半導體激光器芯片”的專利，申請公布號CN120073469A，申請公布日2025.05.30，申請日2025.02.27。專利摘要顯示，本發明公開了一種GaN基藍光半導體激光器芯片，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述上波導層與上限制層之間具有聲子散射增強層，所述聲子散射增強層包括第一聲子散射增強層、第二聲子散射增強層和第三聲子散射增強層。本發明通過特定元素比例分布，進一步抑制深能級陷阱和絕緣界面層，改善遠離平衡態相變對應的對稱性破缺使激光器在閾值處的突變現象，提升激光器的激光相干性和光束質量因子。

五、中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請公開一項名為“集成頻率轉換晶體的光泵浦半導體激光器”的專利，申請公布號CN120073476A，申請公布日2025.05.30，申請日2025.04.24。專利摘要顯示，本發明涉及激光器技術領域，尤其涉及一種集成頻率轉換晶體的光泵浦半導體激光器，包括：泵浦腔；設置在出光窗口的散熱結構、非線性晶體以及輸出耦合鏡，其中，散熱結構、非線性晶體以及輸出耦合鏡在出光窗口內沿遠離泵浦腔的方向依次間隔排布；設置在泵浦腔內的增益芯片，增益芯片的頂面與散熱結構朝向泵浦腔的表面相鍵合；反射鏡，反射鏡設置在底部側壁朝向泵浦腔的表面，且反射鏡與增益芯片正對，反射鏡用于與輸出耦合鏡構成諧振腔；多個泵浦單元，多個泵浦單元用于向增益芯片的底面以及側面發射泵浦光。本發明至少有利于提升集成頻率轉換晶體的光泵浦半導體激光器的集成度，以及有利于保證集成頻率轉換晶體的光泵浦半導體激光器具有較優的性能。

六、北京工業大學

北京工業大學授權公開一項名為“一種孔徑完全裝填輸出相干陣半導體激光器及制備方法”的專利，授權公告號CN115189227B，授權公告日2025.06.03，申請日2022.07.07。專利摘要顯示，本發明公開一種孔徑完全裝填輸出相干陣半導體激光器，該半導體激光器結構包括：導電襯底和形成于導電襯底上的外延層，外延層表面設置一維陣列種子區、無損耗激光傳輸波導和相位光柵層。該半導體激光器通過刻蝕周期性排布的陣列單元，形成相干陣半導體激光器內腔即種子區，再通過刻蝕無損耗激光傳輸波導形成相干陣半導體激光器外腔，進而建立起一種單片集成型復合光腔結構。該半導體激光器引入相位光柵層，改變相干陣半導體激光器非同相模的相位，使其與同相模相位一致，進而獲得邊發射半導體激光器在慢軸方向孔徑完全裝填的相干陣列激光輸出。本發明公開的該半導體激光器的制備方法具有簡單易實施的優點。

七、長光華芯

蘇州長光華芯光電技術股份有限公司、蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司授權公開一項名為“一種高可靠性半導體激光器陣列封裝結構制備夾具及應用其的封裝結構制備方法”的專利，授權公告號CN119525640B，授權公告日2025.05.30，申請日2025.01.23。專利摘要顯示，本發明公開了一種高可靠性半導體激光器陣列封裝結構制備夾具及應用其的封裝結構制備方法。該夾具用于安裝封裝結構的產品模塊，其包括基座、圓柱銷、水平移動塊、楔形塊和垂直移動塊，基座的中央具有一個內陷的水平凹槽，水平凹槽的一端設置有一個內陷的傾斜槽，傾斜槽遠離水平凹槽的內側面與楔形塊的側面均為粗糙的傾斜面，產品模塊、圓柱銷和水平移動塊并排設置在水平凹槽中，楔形塊設置在傾斜槽中。本發明中的一種高可靠性半導體激光器陣列封裝結構制備夾具能夠保證巴條與導電散熱隔塊間的焊料融化過程中焊縫不受擠壓而導致焊料擠出，并且解決了導電散熱隔塊底部高差影響帶來的空焊問題以及焊料過量擠出問題，同時避免了焊料二次融化問題。

八、南京大學

南京大學授權公開一項名為“一種單顆實現多波長激射的半導體激光器”的專利，授權公告號CN115224585B，授權公告日2025.05.27，申請日2022.07.21。專利摘要顯示，本發明公開了一種單顆實現多波長激射的半導體激光器，包括激光器區域與集成在激光器地出光端的SOA區域；激光器區域與SOA區域均依次包括正電極層、電隔離、光柵層、有源層、緩沖層、負電極層；所述光柵層分為光柵分布區域和光柵空白區域，且光柵層的光柵由種子光柵和一次取樣光柵、二次取樣光柵疊加合成得到；正電極層由所述電隔離分隔為光柵電極與空白電極；光柵電極為光柵分布區域提供泵浦電流；空白電極為光柵空白區域提供透明電流；通過給SOA區域加電為激光提供額外的增益，提高激光器區域的輸出功率。本發明滿足WDM對于波長的需求，可有效解決現有多波長半導體激光器陣列存在的結構復雜、難集成、額外功耗大、不便用于密集波分復用系統，實現不同激光器或通道的快速切換需要特殊考慮等問題。

(來源：材料深一度)