近日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布了最新的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，為全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)的發(fā)展勾勒出清晰的藍(lán)圖。數(shù)據(jù)顯示，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將實(shí)現(xiàn)同比7.4%的增長(zhǎng)，達(dá)到1255億美元，創(chuàng)下歷史新高。而在先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)以及技術(shù)轉(zhuǎn)型等多重因素的積極帶動(dòng)下，2026年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額有望進(jìn)一步攀升至1381億美元，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。 

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha對(duì)此表示：“在2024年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)之后，預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將再次擴(kuò)大，并且在2026年創(chuàng)下新的紀(jì)錄。盡管半導(dǎo)體行業(yè)始終在密切關(guān)注宏觀經(jīng)濟(jì)所存在的不確定性，但人工智能推動(dòng)下的芯片創(chuàng)新需求，正不斷驅(qū)動(dòng)著對(duì)產(chǎn)能擴(kuò)張和領(lǐng)先生產(chǎn)的投資。” 

各國(guó)密集出臺(tái)扶持政策仍在強(qiáng)化本土產(chǎn)能。美國(guó)憑借《芯片與科學(xué)法案》，以390億美元建廠補(bǔ)貼和投資稅抵免吸引臺(tái)積電、三星落地，著力構(gòu)建“技術(shù)-產(chǎn)能-市場(chǎng)”閉環(huán)；中國(guó)“大基金三期”的3000億元資金精準(zhǔn)投向設(shè)備與材料領(lǐng)域，聚焦28nm以下制程突破；歐盟則通過(guò)430億歐元芯片法案，計(jì)劃2030年將全球市場(chǎng)份額翻倍，并推動(dòng)設(shè)備采購(gòu)向本土傾斜。這些政策共同催生了本土半導(dǎo)體設(shè)備的投資熱潮，帶動(dòng)相關(guān)需求顯著增長(zhǎng)，重塑著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。 

后端設(shè)備需求爆發(fā)增長(zhǎng)

回顧過(guò)往，2024年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額已達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1170億美元，晶圓廠設(shè)備的表現(xiàn)尤為值得關(guān)注。晶圓廠設(shè)備涵蓋了晶圓制程、晶圓廠設(shè)施及光罩設(shè)備等多個(gè)方面，在晶圓代工和存儲(chǔ)應(yīng)用銷售增長(zhǎng)的有力帶動(dòng)下，2025年相關(guān)領(lǐng)域銷售額有望實(shí)現(xiàn)6.2%的同比增長(zhǎng)，達(dá)到1108億美元。這一數(shù)據(jù)高于2024年底預(yù)估的1076億美元水平，顯示出市場(chǎng)發(fā)展超出預(yù)期。         

SEMI預(yù)測(cè)，雖然晶圓廠設(shè)備的增速保持穩(wěn)健，但后端設(shè)備需求將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。其中，測(cè)試設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)23.2%，達(dá)到93億美元；封裝設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)7.7%，至54億美元。 

之所以會(huì)出現(xiàn)這樣的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，主要原因在于HBM產(chǎn)能擴(kuò)張，對(duì)更先進(jìn)的沉積和刻蝕設(shè)備提出了迫切需求；同時(shí)，AI芯片多芯片集成及HBM復(fù)雜堆疊架構(gòu)，推動(dòng)了CoWoS、硅中介層等先進(jìn)封裝技術(shù)的快速發(fā)展；而HBM和AI芯片性能驗(yàn)證復(fù)雜度的提升，又顯著提高了對(duì)測(cè)試時(shí)長(zhǎng)與精度的要求。 

而且，這種增長(zhǎng)趨勢(shì)在2026年還將延續(xù)，封裝設(shè)備增速將進(jìn)一步升至15%，測(cè)試設(shè)備則維持5%的增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年擴(kuò)張。 

在存儲(chǔ)領(lǐng)域，各廠商相關(guān)的資本支出預(yù)計(jì)將在2025年有所增加，并在2026年持續(xù)增長(zhǎng)。

具體來(lái)看，NAND相關(guān)設(shè)備銷售正逐步從2023年的大幅萎縮中恢復(fù)。2024年，NAND設(shè)備銷售已實(shí)現(xiàn)4.1%的小幅增長(zhǎng)，而在3D NAND堆疊技術(shù)的發(fā)展以及產(chǎn)能擴(kuò)張的推動(dòng)下，NAND設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)42.5%的增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到137億美元，到2026年將繼續(xù)增長(zhǎng)9.7%，達(dá)到150億美元；DRAM設(shè)備銷售額在2024年飆升40.2%，達(dá)到195億美元，預(yù)計(jì)2025年和2026年將分別增長(zhǎng)6.4%和12.1%，這一增長(zhǎng)將為對(duì)HBM和人工智能部署的投資提供有力支持。 

不難發(fā)現(xiàn)，AI技術(shù)的興起推動(dòng)了AI PC、AI手機(jī)等新產(chǎn)品的持續(xù)涌現(xiàn)。消費(fèi)者對(duì)這類智能功能強(qiáng)勁的設(shè)備青睞有加，相關(guān)企業(yè)因此擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。汽車行業(yè)在智能化和電動(dòng)化轉(zhuǎn)型的加速過(guò)程中，引發(fā)了車載芯片需求的爆發(fā)，車企與芯片廠商隨之紛紛擴(kuò)充產(chǎn)能，這一系列變化共同帶動(dòng)了半導(dǎo)體設(shè)備出貨量的上升。而3D NAND閃存技術(shù)、扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）以及3nm、5nm制程技術(shù)的革新，同樣是促進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出貨量增長(zhǎng)的關(guān)鍵推動(dòng)力。 

全球市場(chǎng)發(fā)展分化

在全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額持續(xù)增長(zhǎng)的大背景下，不同地區(qū)的表現(xiàn)呈現(xiàn)出顯著差異。中國(guó)大陸、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、北美與日本等主要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集地，各自面臨著獨(dú)特的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

當(dāng)前，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)正處于份額萎縮的階段，雖然在經(jīng)歷著結(jié)構(gòu)性的轉(zhuǎn)型，但仍然是全球最大單一半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，Q1營(yíng)收達(dá)102.6億美元。 

2024年由于美國(guó)出口管制升級(jí)，中國(guó)企業(yè)為應(yīng)對(duì)潛在風(fēng)險(xiǎn)，超前囤積設(shè)備，這一舉動(dòng)推高了當(dāng)年的基數(shù)。而到了2025年第一季度，市場(chǎng)進(jìn)入了庫(kù)存消化階段，設(shè)備需求相應(yīng)減少。成熟制程方面，受消費(fèi)電子需求疲軟的影響，頭部晶圓廠商的28nm/45nm產(chǎn)能利用率下降，出現(xiàn)了成熟制程產(chǎn)能過(guò)剩的情況。 

不過(guò)，市場(chǎng)也顯現(xiàn)出一些突圍的信號(hào)，本土設(shè)備商在刻蝕、沉積領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，市占率大幅突破，其中北方華創(chuàng)、拓荊科技起到了主導(dǎo)作用。同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)產(chǎn)產(chǎn)線試產(chǎn)啟動(dòng)，目標(biāo)是在2025年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能達(dá)15萬(wàn)片，將拉動(dòng)高深寬比刻蝕設(shè)備的訂單增長(zhǎng)，為相關(guān)本土設(shè)備企業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。 

韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，這主要得益于存儲(chǔ)芯片的復(fù)蘇，從而引爆了設(shè)備需求。HBM擴(kuò)產(chǎn)是重要的增長(zhǎng)引擎。三星、SK海力士加速3D NAND產(chǎn)能建設(shè)，其層數(shù)已突破400+，這使得相關(guān)設(shè)備的單價(jià)提升了30%。政策方面，韓國(guó)的“K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略”為企業(yè)提供30%的稅收抵免，2025年企業(yè)補(bǔ)貼超過(guò)50億美元，有力地刺激了企業(yè)在設(shè)備方面的投入。 

中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)出高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，203%的高增背后有三大支撐點(diǎn)。在先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)方面，臺(tái)積電3nm產(chǎn)能在第一季度提升25%，2nm試產(chǎn)線也已啟動(dòng)，并采購(gòu)了6臺(tái)EUV光刻機(jī)，持續(xù)領(lǐng)跑先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)。先進(jìn)封裝領(lǐng)域同樣表現(xiàn)亮眼，CoWoS產(chǎn)能計(jì)劃從3.5萬(wàn)片/月增至2025年底的6.5萬(wàn)片/月，以滿足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的旺盛需求。此外，在成熟制程方面，聯(lián)電28nm產(chǎn)能翻倍，碳化硅器件設(shè)備采購(gòu)增長(zhǎng)15%，形成了先進(jìn)制程與成熟制程互補(bǔ)發(fā)展的良好局面。 

在AI芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)在先進(jìn)制程和封裝技術(shù)方面的投入將持續(xù)加大，主導(dǎo)其擴(kuò)產(chǎn)周期。 

北美設(shè)備市場(chǎng)一季度銷售額暴增55%，達(dá)到29.3億美元，但環(huán)比下降41%，其波動(dòng)與英特爾“脈沖式采購(gòu)”策略密切相關(guān)，但從長(zhǎng)期來(lái)看，18A制程（GAA技術(shù)）量產(chǎn)在即，這一技術(shù)的突破將支撐起長(zhǎng)期的設(shè)備需求。日本半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)也同樣呈現(xiàn)“同比高增、環(huán)比回調(diào)”態(tài)勢(shì)，本土企業(yè)Rapidus啟動(dòng)2nm試產(chǎn)線，再加上臺(tái)積電熊本工廠的設(shè)備安裝工作推進(jìn)，共同推動(dòng)日本半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)同比增長(zhǎng)20%。 

歐洲地區(qū)的情況則相對(duì)嚴(yán)峻，德國(guó)晶圓廠雖然獲得了一定的補(bǔ)貼，但難以抵擋產(chǎn)業(yè)空心化的趨勢(shì)。在第一季度市場(chǎng)暴跌之后，Q2的頹勢(shì)預(yù)計(jì)難以改變，面臨著較大的發(fā)展壓力。 

總體來(lái)看，Q2全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的分化態(tài)勢(shì)將持續(xù)，AI需求的強(qiáng)弱以及地緣政治因素的演變，將成為影響各地區(qū)市場(chǎng)發(fā)展的關(guān)鍵變量，推動(dòng)著全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)格局的不斷調(diào)整。 

國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠上半年亮點(diǎn)紛呈

根據(jù)2025年中期財(cái)報(bào)及行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備頭部企業(yè)從成熟制程（28nm）向先進(jìn)制程（5nm） 突破，HBM專用設(shè)備及AI需求成新增長(zhǎng)點(diǎn)，上半年表現(xiàn)呈現(xiàn)“強(qiáng)者恒強(qiáng)、國(guó)產(chǎn)替代加速、新興技術(shù)突破”三大特征。

在刻蝕、薄膜沉積領(lǐng)域，中微公司、拓荊科技表現(xiàn)亮眼。其中，中微公司5nm CCP刻蝕設(shè)備成功通過(guò)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)頭部廠商驗(yàn)證，2025年上半年出貨量在國(guó)內(nèi)邏輯產(chǎn)線新增設(shè)備中占比大幅提升。更值得關(guān)注的是，應(yīng)用于HBM的高深寬比刻蝕設(shè)備已交付SK海力士無(wú)錫封測(cè)廠，這是中微公司的首單海外訂單，標(biāo)志著其設(shè)備獲得國(guó)際市場(chǎng)的認(rèn)可，邁出了全球化布局的重要一步。拓荊科技在薄膜沉積設(shè)備方面成果顯著，14nm SACVD（次常壓化學(xué)氣相沉積）設(shè)備在中芯國(guó)際產(chǎn)線成功替代應(yīng)用材料的同類產(chǎn)品，打破了國(guó)外企業(yè)在該領(lǐng)域的壟斷局面。

清洗、封裝設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海、新益昌緊密綁定AI芯片需求，市場(chǎng)份額持續(xù)攀升。盛美上海單片兆聲波清洗設(shè)備獨(dú)供臺(tái)積電CoWoS生產(chǎn)線，在先進(jìn)封裝清洗份額中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，充分體現(xiàn)了該設(shè)備的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)認(rèn)可度，自研的氣相干法刻蝕設(shè)備通過(guò)長(zhǎng)存200層3D NAND驗(yàn)證，為其在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)；新益昌其高速倒裝芯片（Flip Chip）貼片機(jī)獲得通富微電、長(zhǎng)電科技的采購(gòu)訂單，且在HBM封裝訂單中的占比達(dá)到32%，顯示出公司在先進(jìn)封裝設(shè)備市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭。 

這些成果不僅推動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，也讓中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在國(guó)際舞臺(tái)上占據(jù)了更重要的位置，為行業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。

 （來(lái)源：集微）