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股價暴漲近64%!英諾賽可成英偉達800V架構唯一中國供應商

日期:2025-08-01 閱讀:230
核心提示:8月1日,英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄,中國氮化鎵龍頭企業英諾賽科上榜,將為英偉達Kyber機架系統提供全鏈路氮化

 8月1日,英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄,中國氮化鎵龍頭企業英諾賽科上榜,將為英偉達Kyber機架系統提供全鏈路氮化鎵電源解決方案,這也是名單中唯一的中國供應商。該消息直接推動英諾賽科8月1日港股股價一度暴漲近64%!

據悉,英偉達與英諾賽科 此次合作將推動800V直流(800 VDC)電源架構在AI數據中心的規模化應用,并將單機房算力密度將提升10倍以上,助力單機柜功率密度突破300kW,推動全球AI數據中心正式邁入兆瓦級供電時代。

業界認為,英偉達選擇英諾賽科作為其核心合作伙伴,主要看中后者具備的從襯底、外延、芯片設計到封裝測試的IDM全鏈優勢,擁有“技術+產能+服務”綜合實力。

資料顯示,英諾賽科專注于氮化鎵研發與制造,擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地,產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等,可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。

英諾賽科堅定推行IDM(設計-制造-封測一體化)模式,戰略重心聚焦8英寸GaN產線的工程化成熟度。資料顯示,英諾賽科自主研發的8英寸GaN-on-Si量產線,良率達95%以上,推動成本下降40%,是目前業界最先進的生產線之一,產能居行業首位。

今年7月,媒體報道英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓 產能的擴張。公司計劃將當前每月13000片的產能提升至2025年底的20000片。長遠目標是未來五年內將月產能進一步擴大至70000片。

技術方面,英諾賽科第三代GaN器件高頻效率達98.5%,支持15V-1200V全電壓場景。此外,英諾賽科還提供高壓/中壓/低壓三級DC-DC轉換架構,系統性提升整體轉換效率,實現從電網到GPU的端到端的高效傳輸。

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