2025年8月10日-13日，我國寬禁帶半導體領域的行業盛會——第六屆全國寬禁帶半導體學術會議將在大連舉辦。大會由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會共同主辦，大連理工大學、東北師范大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合承辦。

本屆大會設置開閉幕大會，材料生長、材料物性與輻照測試、光電子器件及其應用、電子器件及其應用、新型寬禁帶材料與器件5個平行分會，來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業家代表等，將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研用的交流合作。這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。

屆時，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）將攜最新產品方案亮相本次學術盛會（展位號：A05）。并且，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）首席科學家梁劍波將分享《2英寸多晶金剛石與GaN常溫直接鍵合及其在熱管理中的應用》的主題報告，誠摯邀請行業專家學者、業界同仁蒞臨現場，進行深入的交流與探討，共同探索未來進一步合作的可能性。

嘉賓簡介

梁劍波，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）首席科學家、大阪公立大學教授及博士生導師，長期從事半導體材料異質集成、高導熱界面及高性能器件研究，聚焦GaN、SiC、金剛石等寬禁帶材料的低熱阻集成與封裝技術。在《Advanced Materials》《Nature Communications》《Small》等國際期刊發表論文150余篇，擁有中日美發明專利12項。曾獲南部陽一郎優秀研究獎、國際會議最佳論文獎及期刊優秀審稿人獎，具備豐富的產學研協同與技術轉化經驗。 

報告題目：2英寸多晶金剛石與GaN常溫直接鍵合及其在熱管理中的應用

摘要：本研究針對高功率電子器件熱管理中的核心瓶頸，提出了一種基于多晶金剛石（PCD）與GaN通過3C-SiC實現常溫直接鍵合的新型異質集成方案。盡管PCD具備極高熱導率，其較大的表面粗糙度仍限制了其在高性能器件中的應用。實驗中，采用表面粗糙度約為2.48 nm的2英寸PCD晶圓與3C-SiC在室溫下成功實現直接鍵合（如圖1所示），界面形成約7 nm的無定形中間層。經1100°C熱處理，該中間層轉化為約13 nm的多晶SiC，界面未出現裂紋或分層，顯示出良好的熱穩定性與機械完整性。 

熱性能分析表明，盡管PCD的生長面熱導率高于單晶金剛石（SCD），但因其較小晶粒導致聲子散射增強，PCD基GaN HEMT器件的熱阻相比SCD基器件仍高約27%。進一步研究發現，去除PCD中的細晶核化層可顯著降低界面熱阻，提升整體散熱能力。本研究首次實現了PCD與3C-SiC的高質量集成，為構建高熱流密度條件下的低熱阻GaN器件提供了新的襯底解決方案。通過進一步優化PCD晶粒結構和界面工程，有望全面發揮其熱學優勢，推動下一代高功率電子器件的可靠性和性能跨越式提升。

圖1. 多晶金剛石晶圓上制備的GaN HEMT器件

國家第三代半導體技術創新中心（蘇州） 

國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）【以下簡稱國創中心（蘇州）】圍繞落實國家科技創新重大任務部署，打造國家戰略科技力量，以關鍵技術研發為核心使命，聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，促進各類相關創新主體和創新要素有效協同、形成合力，集聚全國優勢力量為第三代半導體產業提供創新源頭技術供給，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術瓶頸，實現在電力電子、微波射頻和光電子等領域的應用突破，輸出高質量科技創新成果，輻射帶動形成一批具有核心競爭力的創新企業，貫通創新鏈、技術鏈、人才鏈和產業鏈，培育發展新動能，加快我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）于2021年3月獲科技部批復支持建設，江蘇第三代半導體研究院為國創中心（蘇州）的建設主體單位。 

 國創中心（蘇州）聘請郝躍院士擔任中心主任，核心研發和運營團隊近300人；獲批建設國家級博士后科研工作站、江蘇省創新聯合體、江蘇省人才攻關聯合體；圍繞國創中心建設使命，聚焦第三代半導體產業關鍵共性技術，通過協同共建，建設具有國際先進水平、開放共享的公共研發支撐平臺，覆蓋材料、工藝、器件、封裝、模塊、測試分析全產業鏈，逐步形成系統級全產業鏈支撐服務能力，為產業提供“全站式”創新服務，已累計合作服務全國200多家機構和企業。以市場化機制協同優勢創新資源聯合攻關，面向關鍵應用領域全國范圍內合作共建37家聯合研發中心、協同創新中心，在大尺寸氮化鎵材料、全彩 Micro-LED、同質外延技術、可見光通訊（VLC）等關鍵技術取得重大突破，累計布局核心專利近400項，引進孵化創新團隊超過50個，加速創新資源快速集聚，促進第三代半導體產業高質量創新發展。 

材料生長創新平臺：

為GaN、AlN單晶同質襯底、大尺寸異質襯底的材料和器件的外延生長提供定制化服務。圍繞“關鍵共性技術開發、高質量材料生長、外延結構的定制化和專用裝備開發開展建設”四大核心任務打造國際一流專業化、綜合型公共研發平臺，為各高校、企事業單位提供定制化材料研發服務。平臺已初步建成氮化物材料研發和中試線，突破了超寬帶通信、高亮度、RGB寬色域micro-LED的外延生長和極低雜質界面的二次外延技術，多項指標步入國際先進行列。 

器件工藝平臺

借鑒imec成果經驗，匯聚優勢資源，共建光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、晶圓鍵合及加工等第三代半導體器件關鍵共性技術公共驗證工藝線，以UV-LED、Micro-LED、HEMT和MOSFET等寬禁帶半導體芯片核心工藝技術為基礎，以光機電集成、異質混合集成為特色，建成國內首個第三代半導體開放共享的公共驗證平臺，支撐光電子工藝、微電子工藝、光機電集成工藝技術開發和裝備技術開發驗證。 

測試分析與服役評價平臺

圍繞氮化鎵LDs、Micro-LED、DUV-LED、電力電子和射頻電子器件的關鍵核心參數表征需求，開發測試新方法新技術、研制專用裝備、制定國家標準檢測服務體系。平臺自主開發了包括顯微缺陷、微納結構、雜質成分、光電特性、可靠性和失效分析的系統性一站式解決方案。并成功研制2臺套Micro-LED光空間分布多功能測試系統，創新單晶材料體內缺陷的X射線貌相術無損表征的系列方案。同時也建成了涵蓋15種材料的半導體SIMS標準樣品庫，標樣總數突破100個。為135家企業、高校和研發機構提供測試分析服務。

附：會議信息

會議時間：2025年8月10日-13日

會議地點：中國·大連

主辦單位：

中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會

中國電子學會電子材料學分會

承辦單位：

大連理工大學

東北師范大學

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟

協辦單位：

集成光電子全國重點實驗室

寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室

國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所特種發光科學與技術全國重點實驗室

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

一、組織機構

名譽主席：甘子釗、王占國、鄭有炓

顧問委員會（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜國同、顧  瑛、關白玉、郝  躍、黃  如、賈明星、江風益、李愛珍、李晉閩、李樹深、劉紀美、劉  明、劉  勝、羅  毅、申德振、孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮、俞大鵬、張國義、張  榮、張  躍、鄭婉華

大會主席：劉益春

共同主席：沈  波、楊  輝、吳  玲

程序委員會

主  席: 徐  科

副主席：黎大兵、張源濤、朱嘉崎

委  員（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡樹軍、陳長清、陳敦軍、陳  弘、陳  敬、陳堂勝、陳萬軍、陳小龍、陳秀芳、程  凱、遲  楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書林、賀東江、黃伯寧、黃  豐、黃  凱、康俊勇、賴占平、李國強、梁  建、劉  斌、劉國友、劉建平、劉木清、劉  榕、劉斯揚、劉新宇、劉  揚、龍世兵、陸  海、羅小蓉、馬曉華、毛  維、歐  欣、潘  毅、裴  軼、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛  況、孫  錢、孫偉鋒、孫小衛、孫曉娟、唐  寧、陶緒堂、萬成安、萬玉喜、汪  萊、王德君、王  鋼、王宏興、王建峰、王江波、王軍喜、王來利、王  立、王新強、吳毅鋒、肖國偉、徐海陽、徐士杰、徐現剛、許福軍、薛玉雄、閆建昌、楊富華、葉建東、伊曉燕、于洪宇、云  峰、張保平、張  波、張國旗、張進成、張金風、張  龍、張乃千、張清純、鄭雪峰、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨焱

組織委員會

主  席: 梁紅偉

副主席：陳志濤、阮軍、張書明

委  員（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陳  鵬、陳義強、陳志忠、程紅娟、方  方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿  博、龔  政、郭  清、郭世平、郭  煒、郝茂盛、胡衛國、化夢媛、黃火林、黃  森、何晨光、賀致遠、紀志坡、賈  銳、賈志泰、蔣  科、矯淑杰、江  灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉  超、劉軍林、劉可為、劉  雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強、劉宗亮、陸  敏、呂元杰、梅云輝、馬劍鋼、苗振林、母鳳文、牛萍娟、潘堯波、齊紅基、全知覺、任國強、賽青林、桑立雯、宋  波、孫海定、孫文紅、孫永強、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王茂俊、王  琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳  亮、吳嘉偉、吳雅蘋、謝志國、徐明升、楊  霏、楊蘭芳、楊  樹、楊學林、殷  紅、于彤軍、張佰君、張  峰、張  輝、張紀才、張建立、張景文、張葦杭、張  嵩、張  雄、張宇昊、張  韻、張紫輝、趙璐冰、趙  維、周春華、周  弘、周  琦

大會秘書處

秘書長： 張振中 黃火林

副秘書長： 趙  紅 張克雄 張赫之

成  員： 賈欣龍、馬浩然、夏曉川、孫雨周、代建勛、柳陽、李鵬、王月飛、楊霖等

三、主要日程

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四、大會主題

綠色能源與智能時代的寬禁帶半導體技術

五、會議征文方向：

1.材料生長(氮化物半導體、氧化物半導體、碳化硅、金剛石等)

2.材料物性和表征技術(光、電、磁、熱性質、缺陷物理等)

3.光電子器件及其應用(LED、Micro-LED、LD、光電探測器等)

4.電子器件及其應用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)

5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等)

6.輻射及高能粒子探測器件

征文要求：

1.符合上述內容的論文摘要；

2.論文摘要主題突出、內容層次分明、數據準確、論述嚴謹、結論明確、采用法定計量單位；

3.論文摘要須以WORD文檔格式，包含標題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內不超過一頁A4紙；

4.提交截止日前,以電子郵件方式（投稿郵箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至會議組委會秘書組；相關模板可登錄大會官網（http://www.wbsc.org.cn）或查詢附件；

5.所有論文摘要均編入會議文集。

六、會議注冊費

1.普通代表（A類票）：

2800元（含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關服務）

2.學生代表（B類票）：

2300元（與普通代表會議待遇相同，但須提交相關證件）

掃碼注冊報名

掃碼注冊報名

七、注冊費繳費方式

1.通過銀行匯款

開戶行：中國工商銀行北京市分行百萬莊支行

賬  號：0200001409014413573

名  稱：中國有色金屬學會

注：銀行匯款請務必備注“寬禁帶會議+參會代表姓名”

2.線上繳費，登錄官網，

3.現場繳費（接受掃碼、刷卡）

八、會議信息及聯系人

1.會議官網：http://www.wbsc.org.cn

（會議詳細信息請掃碼關注大會官網）

2.論文征集聯系人

張克雄：15382208398；Email: kxzhang@dlut.edu.cn

張赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn

張振中：18626668329；Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

3.合作咨詢

參會咨詢：

蘆老師：13601372457，E：lul@casmita.com

商務合作：

賈先生：18310277858，E：jiaxl@ casmita.com

張小姐：13681329411，E：zhangww@ casmita.com

參會代表財務咨詢：

龐老師：15010359809

熱烈歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位參會交流！

4、酒店信息

會議酒店：大連香格里拉大酒店

位于人民路商業街，與中山廣場相鄰（大連市中山區人民路66號）。

房間價格：高級房：1000元/間夜（含單早），豪華房：1100元/間夜（含單早）

掃碼跳轉酒店官網預定鏈接：

住宿協議酒店:

·大連心悅大酒店（中山區人民路81號）

商務大床房：420元間/夜（含單早）

商務雙人房：420元間/夜（含雙早）

訂房聯系方式：宋經理18640869188

距離會議酒店：477米

·大連新嘉信酒店（中山區五五路53號）

大床房：468元間/夜（含雙早）

雙床房：468元間/夜（含雙早）

訂房聯系方式：任經理18940991977

距離會議酒店:約1公里

·桔子水晶酒店（大連中山廣場店）

高級大床房：500元間/夜（含單早）

訂房聯系方式：朱經理18642677723

距離會議酒店:約1.1公里

·大連渤海明珠酒店（中山區勝利廣場8號）

標準大床房：440元間/夜（含雙早）

標準雙床房：440元間/夜（含雙早）

訂房聯系方式：張經理15840631085

備注：10間以上價格為420元

距離會議酒店:約1.9公里

注：大連旅游城市正值旅游旺季，酒店實際價格有可能調整，以酒店公布為準。

5.交通信息