作為中關村論壇非常重要的一個平行論壇，2023年5月28日下午，北京（國際）第三代半導體創新發展論壇（以下簡稱“論壇”）在中關村國家自主創新示范區展示中心舉行。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲做《第三代半導體產業發展戰略思考》主題綜述報告。

安世半導體副總裁 Carlos Castro介紹了氮化鎵功率電子器件和典型應用。

博世汽車電子事業部中國區總裁Georges ANDARY分享了汽車功率半導體在減少碳排放方面的貢獻，報告中討論了全球和中國半導體市場的最新主要發展，并介紹碳化硅的主要產品特性、優勢，以及碳化硅應用對減少碳排放的貢獻。

美國國家工程院院士、加州大學教授Umesh Mishra分享了高效率氮化物功率半導體和射頻電子研究進展。半導體技術必須實現基于應用的高性能，技術必須非常可靠，同時要不斷的降低成本，低成本需要高的市場滲透率，氮化鎵擁有激光、LED、雷達、毫米波通信等廣泛的應用基礎，具有巨大的市場潛力。

IEEE國際寬禁帶半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席、美國北卡羅萊納州立大學教授、國際電氣和電子工程師協會會士(IEEE Fellow)Victor Veliadis分享了碳化硅功率半導體器件技術的最新研究進展。

中科院北京納米能源與系統研究所所長、中國科學院外籍院士、歐洲科學院院士王中林分享了第三代半導體的壓電電子學與壓電光電子學的狀況與研究進展。